Ga-dotierte Silizium-Solarzellen gewinnen an Relevanz in der Industrie - Entwicklung von Schnelltests und Vermeidung negativer Langzeitfolgen auf Zell- und Modullevel, Teilvorhaben: Teststandentwicklung

Description: Durch die aktuell stattfindende rasante Transformation von Bor- hin zu Gallium- dotierten monokristallinen Siliziumsolarzellen auf dem weltweiten PV-Markt besteht insbesondere für Modul- und Systemhersteller, aber auch für Kraftwerksbetreiber ein großes Risiko, da die Langzeiteffekte in Ga-dotierten Solarzellen unbekannt sowie Ga- korrelierte Defekte noch weitgehend unerforscht sind. Ziel dieses Vorhabens ist daher die Analyse der Degradationseigenschaften von Ga-dotiertem Silizium auf Wafer-, Zell und Modullevel sowie die Entwicklung zuverlässiger und sensitiver Prüfverfahren, die es ermöglichen, für Ga-dotierte Zellen und Module zuverlässige Aussagen mithilfe artefaktfreier Messungen hinsichtlich des Risikos für langfristige Degradation zutreffen. Anhand dieser Erkenntnisse soll ein neuer Normentwurf mitgestaltet werden. Auf Basis der experimentellen Ergebnisse werden Modelle zur Vorhersage des Degradationsverhaltens entwickelt und die hieraus erhaltenen Ertragsprognosen mit Hilfe von Outdoor-Tests verifiziert. Schließlich sollen Optimierungsstrategien zur Erhöhung der Langzeitstabilität von Modulen im Feld entwickelt werden.

SupportProgram

Origins: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Langzeitwirkung ? Silizium ? Solarzelle ? Spätfolge ? Solarmarkt ? Prognosemodell ? Prüfverfahren ? Risikoanalyse ? Schnelltest ?

Region: Baden-Württemberg

Bounding boxes: 9° .. 9° x 48.5° .. 48.5°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

• Bundesministerium für Wirtschaft und Energie (Geldgeber*in)
• PSE Instruments GmbH (Betreiber*in)
• Umweltbundesamt (Bereitsteller*in)

Time ranges: 2022-05-01 - 2025-04-30

Alternatives

• Language: Englisch/English
  Title: Subproject: Test rig development
  Description: Due to the current rapid transformation from boron- to gallium-doped monocrystalline silicon solar cells on the global PV market, there is a great risk especially for module and system manufacturers, but also for power plant operators, since the long-term effects in Ga-doped solar cells are unknown and Ga-correlated defects are still largely unexplored. Therefore, the aim of this project is to analyze the degradation properties of Ga-doped silicon on wafer, cell and module level and to develop reliable and sensitive test methods that allow reliable statements to be made for Ga-doped cells and modules using artifact-free measurements regarding the risk of long-term degradation. On the basis of these findings, a new draft standard is to be co-designed. On the basis of the experimental results, models for predicting the degradation behavior will be developed and the yield predictions obtained from this will be verified with the aid of outdoor tests. Finally, optimization strategies to increase the long-term stability of modules in the field will be developed. https://ufordat.uba.de/UFORDAT/pages/PublicRedirect.aspx?TYP=PR&DSNR=1125805

Status

Aktiv

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