Description: Das Projekt "HVSiCStack: Modulare Leistungselektronik auf Siliziumcarbidbasis für Hochspannungsanwendungen, Teilvorhaben: Robuster und niederinduktiver HV-SiC-Powerstack für skalierbare und hochintegrierte MS-Umrichter" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: Technische Universität Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik, Professur für Leistungselektronik.Der Hauptfokus für die TU Chemnitz liegt auf der Untersuchung der Zuverlässigkeit der SiC-Bauelemente. Im Zuge dieser Arbeit sollen geeignete Verfahren zur Temperaturermittlung gefunden werden, damit anschließend Zuverlässigkeitsuntersuchungen der Aufbau- und Verbindungstechnik durchgeführt werden können. Weiter sollen die SiC-Bauelemente ebenfalls auf Zuverlässigkeit untersucht werden. Hierbei werden die Randstruktur, die Qualität des Gateoxids und eventuelle Schwachstellen der Passivierungsschicht untersucht. Die Herausforderung hierbei wird sein, geeignete Testaufbauten zu entwickeln, die zunächst einmal die Messungen bei den geforderten hohen Spannungen der SiC-Bauelemente ermöglichen sowie die Zuverlässigkeit der Bauelemente nachweisen. Dies ist dahingehend wichtig, da der Einsatz für SiC-Bauelemente in Spannungsbereichen möglich ist, in denen Silizium nicht mehr verwendbar ist.
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Chemnitz ? Elektronik ? Silizium ? Anorganische Siliziumverbindung ? Material ? Elektrotechnik ? Materialprüfung ? Temperaturmessung ? Beschichtung ? Messverfahren ? Produktionstechnik ? Bauelement ? Halbleiter ? Physikalische Größe ? Digitale Technologien ? Carbid ? Prüfstand ? Schwachstellenanalyse ? Siliziumcarbid ? Zuverlässigkeit ?
Region: Sachsen
Bounding boxes: 10.40664° .. 10.40664° x 49.29433° .. 49.29433°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2017-02-01 - 2020-07-31
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=16ES0601 (Webseite)Accessed 1 times.