P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch absorbierenden Verbindungshalbleitern^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET)^P-I-N Solarzellen mit alternativen hochabsorbierenden Verbindungshalbleitern - PINET / Charakterisierung von Einzelschichten, Schichtsequenzen und kompletten Heterodioden mit hochauflösenden optischen und spektroskopischen Methoden^P-I-N Solarzellen, Herstellung von Bi2S3 Absorberschichten und Photoelektronenspektroskopische Analyse von P-I-N Solarzellen^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET); Teil: Herstellung n- und p-leitender, sowie oberflächenmodifizierter TCOs und chemische, morphologische, elektrische und optische Analyse (PINET-TCO), P-I-N Solarzellen mit alternativen hochabsorbierenden Verbindungshalbleitern : Material-, Grenzflächen- und Bauteiloptimierung

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Origins: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Werkstoff ? Absorber ? Solarzelle ? Absorption ? Spektralanalyse ? Leitfähigkeit ? Bauelement ? Grenzschicht ? Produktdesign ? Halbleiter ? Dünnschichtmodul [Solarzelle] ? Elektrode ? p-i-n Solarzelle ?

Region: Hessen

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License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

• Bundesministerium für Forschung, Technologie und Raumfahrt (Geldgeber*in)
• Carl von Ossietzky Universität Oldenburg (Mitwirkende)
• Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der Angewandten Forschung e.V., Zentralverwaltung (Mitwirkende)
• IBM Deutschland GmbH (Mitwirkende)
• Johannes Gutenberg-Universität Mainz (Mitwirkende)
• Technische Universität Darmstadt, Bereich Materialwissenschaft, Fachgebiet Oberflächenforschung (Betreiber*in)
• Umweltbundesamt (Bereitsteller*in)

Time ranges: 2010-05-01 - 2013-04-30

Resources

• Webseite zum Förderprojekt

  https://www.tib.eu/de/filter?repno=03SF0358A (Webseite)

Status

Aktiv

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