Description: Das Projekt "P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch absorbierenden Verbindungshalbleitern^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET)^P-I-N Solarzellen mit alternativen hochabsorbierenden Verbindungshalbleitern - PINET / Charakterisierung von Einzelschichten, Schichtsequenzen und kompletten Heterodioden mit hochauflösenden optischen und spektroskopischen Methoden^P-I-N Solarzellen, Herstellung von Bi2S3 Absorberschichten und Photoelektronenspektroskopische Analyse von P-I-N Solarzellen^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET); Teil: Herstellung n- und p-leitender, sowie oberflächenmodifizierter TCOs und chemische, morphologische, elektrische und optische Analyse (PINET-TCO), P-I-N Solarzellen mit alternativen hochabsorbierenden Verbindungshalbleitern : Material-, Grenzflächen- und Bauteiloptimierung" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: Technische Universität Darmstadt, Bereich Materialwissenschaft, Fachgebiet Oberflächenforschung.
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Darmstadt ? Werkstoff ? Absorber ? Solarzelle ? Absorption ? Spektralanalyse ? Leitfähigkeit ? Bauelement ? Grenzschicht ? Halbleiter ? Produktdesign ? Dünnschichtmodul [Solarzelle] ? Elektrode ? p-i-n Solarzelle ?
Region: Hessen
Bounding boxes: 10.30054° .. 10.30054° x 47.90813° .. 47.90813°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2010-05-01 - 2013-04-30
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter?repno=03SF0358A (Webseite)Accessed 1 times.