Duennschichtsolarzellen auf Siliziumbasis

Description: Die Forschungsarbeiten zielen auf die Entwicklung einer Duennschichtsolarzelle aus fein- oder polykristallinem Silizium, bei deren Herstellung konsequent Niedertemperaturtechnologien mit Prozesstemperaturen T kleiner 550 Grad Celsius zum Einsatz kommen. Zur Herstellung der photoaktiven Siliziumschichten werden Depositionstechniken verwendet, bei denen der Depositionsbereich und der Plasmabereich raeumlich getrennt sind (remote-Verfahren): Remote Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (R-PECVD) und Remote Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (R-ECR-PECVD). Zur Herstellung der kristallinen Si-Duennschichten werden drei Wege beschritten: (1) Direkte Abscheidung; (2) Abscheidung amorpher Filme und anschliessende Temperaturbehandlung (SPC); (3) Herstellung von Keimschichten und anschliessende Verdickung durch epitaktische Abscheidung (R-ECR-PECVD)

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Origins: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Silizium ? Solarenergie ? Solarzelle ? Abscheidung ? Verfahrenstechnik ? Niedertemperaturprozesse ? Verfahrensforschung ?

Region: Berlin

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

• Forschungsverbund Sonnenenergie (Mitwirkende)
• Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH (Geldgeber*in)
• Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH, Institutsteil Berlin-Adlershof, Bereich A Angewandte Physik, Abteilung Photovoltaik (Betreiber*in)
• Umweltbundesamt (Bereitsteller*in)

Time ranges: 1997-01-01 - 2002-12-31

Status

Aktiv

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