EpiPower: Prozess-und Anlagenentwicklung für epiaktisch prozessierte Wafer, Teilvorhaben: Entwicklung von Hochdurchsatz inline-Anlagen für anodisch geätzte poröse Siliziumschichten

Description: Ein wesentlicher Teilschritt der neuartigen EpiWafer-Technologie ist die Porosizierung eines Silizium-Saatwafers mittels elektrochemischen Ätzens zur Erzeugung einer Ablöseschicht. Das Vorhaben behandelt schwerpunktmäßig die Entwicklung und Konstruktion einer Inline-Produktionsanlage für die anodische Porosizierung von Silizium mit einem Durchsatz von größer als 6000 Wafern/Stunde. Damit ist es möglich, die EpiWafer-Technologie in die industrielle Anwendung zu überführen.

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Tags: Substrat ? Elektrochemie ? Photovoltaik ? Silizium ? Solarzelle ? Verfahrensoptimierung ? Produktionstechnik ? Verfahrenstechnik ? Bauteil ? Industrielles Verfahren ? Effizienzsteigerung ? Kristallisation ? Anlagentechnik ? Epitaxie ? Porosität ? Ätzmittel ?

Region: Bayern

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License: Creative Commons Namensnennung-keine Bearbeitung-Nichtkommerziell 4.0

Language: Deutsch

Organisations

• Bundesministerium für Wirtschaft und Energie (Finanzielle Förderung)
• Singulus Technologies AG - Niederlassung Fürstenfeldbruck (Projektverantwortung)
• Umweltbundesamt (Bereitstellung)

Last harvest: 11.05.2026 00:15

Time ranges: 2016-11-01 - 2018-10-31

Resources

• Webseite zum Förderprojekt

  https://www.tib.eu/de/filter/?repno=0324135C (Webseite)

Status

Aktiv

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