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Teilvorhaben: Einfluss inhomogener Defektverteilungen auf die Solarzellenparameter^Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium - Praezipitation an Defekten^Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium - Nachweis, Verteilung und gezielte Umverteilung von Fremdatomen^Verbesserung des Materialverstaendnisses von multikristallinem Silicium fuer Solarzellen^Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium - ortsaufgeloeste Untersuchungen von Korngrenzen und Versetzungen^Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium in homogener Defektverteilung auf die Solarzellenparameter^Teilvorhaben: Rekombination an Versetzungen. Fortfuehrungstitel: Multikristalline Siliciummaterialien fuer effiziente Solarzellen: Handlungs..., Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium - elektrische, optische und strukturelle Charakterisierung

Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Einfluss inhomogener Defektverteilungen auf die Solarzellenparameter^Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium - Praezipitation an Defekten^Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium - Nachweis, Verteilung und gezielte Umverteilung von Fremdatomen^Verbesserung des Materialverstaendnisses von multikristallinem Silicium fuer Solarzellen^Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium - ortsaufgeloeste Untersuchungen von Korngrenzen und Versetzungen^Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium in homogener Defektverteilung auf die Solarzellenparameter^Teilvorhaben: Rekombination an Versetzungen. Fortfuehrungstitel: Multikristalline Siliciummaterialien fuer effiziente Solarzellen: Handlungs..., Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium - elektrische, optische und strukturelle Charakterisierung" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: Universität Erlangen-Nürnberg, Institut für Angewandte Physik.

Types:
SupportProgram

Origin: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Silizium ? Solarzelle ? Materialschaden ? Materialprüfung ? Physik ? Solartechnik ? Spektralanalyse ? Industrie ? Forschungseinrichtung ? Halbleiter ? Halbleiterdefekte ? Multikristallines-Silizium ?

Region: Bayern

Bounding boxes: 12.53381° .. 12.53381° x 47.795° .. 47.795°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

Time ranges: 1996-01-10 - 1999-09-30

Status

Quality score

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