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Teilvorhaben: Untersuchung und Bewertung neuer Messstrategien für High-End Fotomasken Uniformitäten und Linienrauigkeiten sowie Materialschichten^Neuartige hochauflösende Metrologie an High-End Fotomasken für energieeffiziente Nanoelektronik (CoolMaskMetro)^Teilvorhaben: Grundlagenentwicklung für ein lateral hochauflösendes spektroskopisches Ellipsometer^Teilvorhaben: Modelle und Simulationen für die Charakterisierung von high-End Fotomasken (CoolMaskMetroSim), Teilvorhaben: Tool-Basis & Industrie-Demonstrator

Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Untersuchung und Bewertung neuer Messstrategien für High-End Fotomasken Uniformitäten und Linienrauigkeiten sowie Materialschichten^Neuartige hochauflösende Metrologie an High-End Fotomasken für energieeffiziente Nanoelektronik (CoolMaskMetro)^Teilvorhaben: Grundlagenentwicklung für ein lateral hochauflösendes spektroskopisches Ellipsometer^Teilvorhaben: Modelle und Simulationen für die Charakterisierung von high-End Fotomasken (CoolMaskMetroSim), Teilvorhaben: Tool-Basis & Industrie-Demonstrator" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: HSEB Dresden GmbH.Im Zuge der weiteren Miniaturisierung der Halbleiterstrukturtechnologie wächst die Bedeutung der Grenzflächen als Quelle von Strukturabweichungen und Defekten stetig. Auf Maskenebene sin die Linienrauhigkeit (Engl. Line-Edge Roughness = LER) und die Homogenität die zentralen Maskeneigenschaften welche die Leckströme des Chips und damit dessen Stromverbrauch beeinflussen. Im Rahmen des CoolMaskMetro-Verbundes sollen Prototypen für Masken mit in diesen beiden Parametern deutlich verbesserten Eigenschaften erforscht werden. Weiterhin sollen die Messtechniken für ihre Charakterisierung geschaffen werden. Das Ziel des HSEB-Teilthemas ist die Verifizierung der industriellen Nutzbarkeit der untersuchten Messtechniken durch Erstellen eines Industrie-Demonstrators mit den ellipsometrisch/scatterometrischen Messtechniken des Verbundes. Das Verfahren soll eine neue Ausführungsform der Ellipsometrie und Scatterometrie nutzen, wodurch die Auflösung um einen Faktor 10 verbessert wird und zusätzlich Daten gewonnen werden können. Das Ergebnis wird sowohl unmittelbar für die Masken-Prozessentwickung im Verbund als auch als Basis für eine Produktentwicklung bei HSEB nach Projektabschluss verwertet.

Types:
SupportProgram

Origin: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Dresden ? Lack ? Elektronik ? Bildverarbeitung ? Elektrizitätsverbrauch ? Materialprüfung ? Messtechnik ? Spektralanalyse ? Verfahrensoptimierung ? Beschichtung ? Qualitätsmanagement ? Stromeinsparung ? Messverfahren ? Produktionstechnik ? Prüfverfahren ? Simulationsmodell ? Vergleichsanalyse ? Energieeffizienz ? Grenzschicht ? Halbleiter ? Physikalische Größe ? Nanotechnologie ? Auflösungsvermögen ? Ellipsometrie ? High-End Fotomaske ? Leckstrom ? Metrologie ? Miniaturisierung ? Nanobereich ? Prototyp ? Scatterometrie ? line-edge roughness ?

Region: Sachsen

Bounding boxes: 10.40664° .. 10.40664° x 49.29433° .. 49.29433°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

Time ranges: 2011-09-01 - 2014-01-31

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