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SiC-basierte modulare Leistungselektronik für ausfallsichere Antriebstechnik - SiCmodul, Teilvorhaben: Modulare Hochtemperatur SiC Power Elektronik für ausfallsichere Leistungssteuerung der Antriebstechnik

Description: Das Projekt "SiC-basierte modulare Leistungselektronik für ausfallsichere Antriebstechnik - SiCmodul, Teilvorhaben: Modulare Hochtemperatur SiC Power Elektronik für ausfallsichere Leistungssteuerung der Antriebstechnik" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration.Das Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM arbeitet an vier Arbeitspaketen im Vorhaben. Der Schwerpunkt der Aktivitäten liegt in der Entwicklung eines niederinduktiven Aufbaus für Schaltzellen mittels Embedding zur effizienten Nutzung schnellschaltender SiC-Leistungshalbleiter, der Erforschung eines Verfahrens zur Erzeugung dicker Cu-Metallisierungen auf den Kontaktflächen vereinzelter Leistungshalbleiter, der Optimierung der Embedding-Technologie mittels Niedertemperatur- / Niederdruck-Ag-Sintern und galvanischer Oberseitenkontaktierung, der Entwicklung eines fertigungstauglichen Verfahrens im Vergleich zum Embedding mittels doppelseitiger Cu-Kontaktierung sowie einer Untersuchung des thermischen Verhaltens im Vergleich zu anderen Embedding-Verfahren und der Untersuchung sowie Optimierung einer modularen Verbindungstechnik zwischen den Komponenten von Leistungsmodulen mittels einer kombinierten Sinter- / Laminier-Technologie. Mit den Kenntnissen zu Methoden und Technologien in der Aufbau- und Verbindungstechnik von mikroelektronischen und mikrosystematischen Bauteilen unterstützt IZM die Verbundpartner bei ihren Arbeiten.

Types:
SupportProgram

Origin: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Sinterung ? Kupfer ? Elektrizität ? Elektronik ? Silizium ? Elektrotechnik ? Regeltechnik ? Verfahrensoptimierung ? Beschichtung ? Antriebstechnik ? Galvanik ? Modul ? Technik ? Verfahrenstechnik ? Vergleichsanalyse ? Thermisches Verfahren ? Energieeffizienz ? Bauelement ? Halbleiter ? Effizienzsteigerung ? Haltbarkeit ? Niederdruck ? Niedertemperaturverfahren ? Optimierungsverfahren ? Siliziumcarbid ? Untersuchungsschwerpunkt ? Zuverlässigkeit ?

Region: Berlin

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

Time ranges: 2018-01-01 - 2020-12-31

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