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P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET)^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch absorbierenden Verbindungshalbleitern^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET); Teil: Herstellung n- und p-leitender, sowie oberflächenmodifizierter TCOs und chemische, morphologische, elektrische und optische Analyse (PINET-TCO), P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern

Description: Das Projekt "P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET)^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch absorbierenden Verbindungshalbleitern^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET); Teil: Herstellung n- und p-leitender, sowie oberflächenmodifizierter TCOs und chemische, morphologische, elektrische und optische Analyse (PINET-TCO), P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: IBM Deutschland GmbH, Technology Center ISC EMEA.

Types:
SupportProgram

Origin: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Werkstoff ? Elektronik ? Solarzelle ? Absorption ? Elektrotechnik ? Leitfähigkeit ? Mathematisches Modell ? Simulation ? Werkstoffkunde ? Modellierung ? Grenzschicht ? Halbleiter ? Effizienzsteigerung ? Elektronen ? p-i-n Solarzelle ?

Region: Rheinland-Pfalz

Bounding boxes: 7.5° .. 7.5° x 49.66667° .. 49.66667°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

Time ranges: 2010-05-01 - 2013-04-30

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Status

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