Description: Fuer die Herstellung von MIS-Inversionsschichtsolarzellen wurden neue Verfahrensschritte (Rapid-Thermal-Processing) eingesetzt. Insbesondere wurden folgende Arbeiten durchgefuehrt: - Herstellung eines qualitativ hochwertigen Tunnelisolators (Si-Oxid, Si-Oxynitrid) im Temperaturbereich 700 C bis 900 C durch RTP; - Untersuchungen zum Einlegieren des Al-Rueckseitenkontaktes und die Auswirkungen auf die Parameter von MIS-Solarzellen; - Optimierung von technologischen Prozessen zur Herstellung von MIS-Zellen. Mit dieser Technologie konnten MIS-Inversionsschichtsolarzellen hergestellt werden. Dabei wurde bei der Verwendung von texturiertem Cz-Si ein Wirkungsgrad von 16,2 Prozent erreicht (I(ind=sc)=35,3 mA/cm2, U(ind=oc)=600 mV, FF= 76,4 Prozent). Mit dem Einsatz von Si-Oxynitrid als Tunnelisolator wird die Temperaturstabilitaet des MIS-Tunnelkontakts (bis zu 350 C) wesentlich verbessert.
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Origins: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Oxid ? Silizium ? Anorganische Siliziumverbindung ? Solarzelle ? Solartechnik ? Verfahrensoptimierung ? Energiegewinnung ? Energietechnik ? Mikroelektronik ? Oxidation ? Produktionstechnik ? Verfahrenstechnik ? Wirkungsgrad ? Kenngröße ? Effizienzsteigerung ? Halbleiter ? Antragsteller ? Aufladung ? Inversion ? Inversionsschichtsolarzelle ? Leerlaufspannung ? MIS-Solarzelle ? Siliziumoxid ? Siliziumoxynitrid ? Temperaturstabilitaet ? Tunnelisolator ?
Region: Sachsen
Bounding boxes: 10.40664° .. 10.40664° x 49.29433° .. 49.29433°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 1992-01-01 - 1997-12-31
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