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Teilvorhaben: Zwischenkreiskondensatoren für hohe Schaltfrequenzen, Temperaturen und Leistungen^Hochfrequenz-Hochstrom-Komponenten für den Einsatz in der Medizintechnik und Photovoltaik-Wechselrichtern der MW-Klasse - HHK^Teilvorhaben: Niederinduktive Module bzw. leistungselektronische Baugruppen mit SiC-Bauelementen für hohe Frequenzen, Temperaturen und Leistungen^Teilvorhaben: Niederinduktive Aufbautechnologien für Hochfrequenz-Hochstrom-Komponenten für den Einsatz in Photovoltaik-Wechselrichtern in der MW-Klasse^Teilvorhaben: Charakterisierung, Untersuchung der Höhenstrahlungsfestigkeit, Aufbau 100kW HSS^Teilvorhaben: Hocheffiziente PV-Wechselrichter der Multi-MW Klasse mit SiC Hochstrommodule, Teilvorhaben: Entwicklung von Ag-Sintermaterialien für die Kontaktierung von SiC Dies und Bodenplatten/Kühlkörpern

Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Zwischenkreiskondensatoren für hohe Schaltfrequenzen, Temperaturen und Leistungen^Hochfrequenz-Hochstrom-Komponenten für den Einsatz in der Medizintechnik und Photovoltaik-Wechselrichtern der MW-Klasse - HHK^Teilvorhaben: Niederinduktive Module bzw. leistungselektronische Baugruppen mit SiC-Bauelementen für hohe Frequenzen, Temperaturen und Leistungen^Teilvorhaben: Niederinduktive Aufbautechnologien für Hochfrequenz-Hochstrom-Komponenten für den Einsatz in Photovoltaik-Wechselrichtern in der MW-Klasse^Teilvorhaben: Charakterisierung, Untersuchung der Höhenstrahlungsfestigkeit, Aufbau 100kW HSS^Teilvorhaben: Hocheffiziente PV-Wechselrichter der Multi-MW Klasse mit SiC Hochstrommodule, Teilvorhaben: Entwicklung von Ag-Sintermaterialien für die Kontaktierung von SiC Dies und Bodenplatten/Kühlkörpern" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: Heraeus Materials Technology GmbH & Co. KG, Contact Materials Division, BU Assembly Materials.

Types:
SupportProgram

Origin: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Sinterung ? Silber ? Elektronik ? Photovoltaik ? Anorganische Siliziumverbindung ? Temperaturabhängigkeit ? Zusatzstoff ? Temperaturentwicklung ? Chemische Zusammensetzung ? Verfahrensoptimierung ? Hochfrequente Felder ? Produktionstechnik ? Halbleiter ? Kühlung ? Technische Aspekte ? Physikalische Größe ? Medizintechnik ? Carbid ? Betriebsparameter ? Hochfrequenz-Hochstrom-Komponente ? Photovoltaik-Wechselrichter ? Pulver ? Siliziumcarbid ? Sinteranlage ? Sinterpaste ?

Region: Hessen

Bounding boxes: 10.30054° .. 10.30054° x 47.90813° .. 47.90813°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

Time ranges: 2013-11-01 - 2016-10-31

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