Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Halbleiter-Strukturdesign, Wachstum und Charakterisierung^KMU-innovativ : Hochsensitive Infrarotdetektoren auf Basis von Resonanz-Tunneldioden mit Halbleitern schmaler Bandlücke (HIRT), Teilvorhaben: Herstellung und Charakterisierung neuartiger Infrarot-Photodetektoren für die Laserspektroskopie" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: nanoplus Nanosystems and Technologies GmbH.Im HIRT Projekt sollen erstmals innovative Infrarotdetektoren auf Basis von Resonanztunneldioden (RTD) mit Halbleitern schmaler Bandlücke in dem für die optische Sensorik wichtigen Wellenlängenbereich zwischen 1.8 Mikro m - 3.5 Mikro m erforscht und untersucht werden. Dieser spektrale Bereich ist für die hochempfindliche Gassensorik von besonderem Interesse. Beispiele im Bereich Umweltanalytik und Umweltschutz betreffen bspw. das Treibhausgas Methan oder den Luftschadstoff Formaldehyd. Aber auch eine Vielzahl weiterer Anwendungen zur effizienten Prozessteuerung und zur Reduzierung von Schadstoffen profitiert von den Ergebnissen des HIRT Vorhabens. Die optische Gassensorik basierend auf Laserspektroskopie (Tunable Laser Spectroscopy - TLS) erlaubt das Detektieren selbst niedrigster Konzentrationen in Echtzeit und stellt einen rasant wachsenden Markt da. Im Rahmen dieses Projekts wird die Erforschung eines neuartigen Infrarotdetektors verfolgt: HIRT nutzt dazu das RTD-Prinzip und überträgt dieses Prinzip erstmals auf einen für TLS Anwendungen extrem wichtigen Spektralbereich. Dazu sollen RTD Strukturen auf Basis von III-V Halbleitern mit kleiner Bandlücke (Antimonide, InAs und deren Verbindungshalbleiter) untersucht werden. Die Arbeiten umfassen insbesondere Design, Herstellung und Charakterisierung neuartiger Resonanztunnelstrukturen und zugehöriger Schichtstrukturen, Untersuchung geeigneter Wachstumsverfahren zu gitterangepasstem GaInAsSb mit schmaler Bandlücke, technologische Untersuchungen zur Kombination von optisch aktiver Absorptionsschicht und als Verstärker wirkender Resonanztunnelstruktur, Erforschung geeigneter Strukturierungs- und Passivierungsverfahren, sowie die Untersuchung der neuartigen Bauelemente in TLS Anwendungsumgebung.
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Photonik ? Antimonverbindung ? Laserspektroskopie ? Sensor ? Formaldehyd ? Absorption ? Chemische Zusammensetzung ? Methan ? Spektralanalyse ? Spurenstoff ? Struktur-Wirkung-Beziehung ? Verfahrensparameter ? Gasförmiger Stoff ? Emissionsminderung ? Infrarotstrahlung ? Kristallisation ? Umweltanalytik ? Luftschadstoff ? Sensorische Bestimmung ? Treibhausgas ? Bauelement ? Halbleiter ? Neuartige Materialien ? Schadstoffminderung ? Antimonide ? Optimieren der Fahrweise ? Resonanztunneldiode ? Schadstoffnachweis ? Spektrum ? Wellenlänge ? Analytik ? III-V-Verbindungshalbleiter ? Indiumarsenid ?
Region: Bayern
Bounding boxes: 12.53381° .. 12.53381° x 47.795° .. 47.795°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2016-01-01 - 2017-12-31
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=13XP5003A (Webseite)Accessed 1 times.