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Teilvorhaben: Untersuchung und Bewertung neuer Messstrategien für High-End Fotomasken Uniformitäten und Linienrauigkeiten sowie Materialschichten^Teilvorhaben: Tool-Basis & Industrie-Demonstrator^Teilvorhaben: Grundlagenentwicklung für ein lateral hochauflösendes spektroskopisches Ellipsometer^Neuartige hochauflösende Metrologie an High-End Fotomasken für energieeffiziente Nanoelektronik (CoolMaskMetro)^Teilvorhaben: Modelle und Simulationen für die Charakterisierung von high-End Fotomasken (CoolMaskMetroSim), Teilvorhaben: FT-konfokales Mikroellipsometer

Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Untersuchung und Bewertung neuer Messstrategien für High-End Fotomasken Uniformitäten und Linienrauigkeiten sowie Materialschichten^Teilvorhaben: Tool-Basis & Industrie-Demonstrator^Teilvorhaben: Grundlagenentwicklung für ein lateral hochauflösendes spektroskopisches Ellipsometer^Neuartige hochauflösende Metrologie an High-End Fotomasken für energieeffiziente Nanoelektronik (CoolMaskMetro)^Teilvorhaben: Modelle und Simulationen für die Charakterisierung von high-End Fotomasken (CoolMaskMetroSim), Teilvorhaben: FT-konfokales Mikroellipsometer" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: Sentech Instruments GmbH.Die Fotomaske ist ein Schlüsselelement der Chipfertigung. Ihre Strukturen werden in einem fotolithografischen Prozess auf den Wafer übertragen. Auf Maskenebene sind die Linienrauigkeit (Eng. Line-Edge-Roughness = LER) und die Uniformity (Abstandstreue) der Linienstrukturen die zentralen Maskeneigenschaften, welche die Leckströme des Chips und damit dessen Stromverbrauch negativ beeinflussen. Um Masken mit reduzierter LER bereitstellen zu können, kommen den Bereichen Metrologie sowie dem Ätzen (Erzeugung der Strukturen) besondere Rollen zu. Mittels eines Ellipsometers kann die CDO = Critical-Dimension-Offtarget im Resist überwacht und so der Ätzprozess angepasst werden um die CDO/LER in der finalen Struktur zu reduzieren. Durch eine engere Tolerierung können die Schaltungen mit geringeren Spannungen betrieben und damit der Stromverbrauch gesenkt werden. Ziel des Teilprojekts von SENTECH ist die Entwicklung eines spektroskopischen Ellipsometers mit einer lateralen Auflösung von wenigen Mikrometern für die Generierung von Reflektometer- und Ellipsometerdaten in einem breiten Spektrum. Diese sollen für multiple Einstrahlwinkel und eine typische Messzeit von wenigen Sekunden gewonnen werden.

Types:
SupportProgram

Origin: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Messgerät ? Elektronik ? Ätzender Stoff ? Bildverarbeitung ? Elektrizitätsverbrauch ? Materialprüfung ? Reflexionsmessung ? Spektralanalyse ? Qualitätsmanagement ? Stromeinsparung ? Anlagenüberwachung ? Messdaten ? Messverfahren ? Produktionstechnik ? Prüfverfahren ? Simulationsmodell ? Oberflächenbehandlung ? MSR-Technik ? Energieeffizienz ? Nanotechnologie ? Mikrotechnik ? Auflösungsvermögen ? Auswertungsverfahren ? Ellipsometer ? High-End Fotomaske ? Metrologie ? Optimieren der Fahrweise ? line-edge roughness ?

Region: Berlin

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

Time ranges: 2011-09-01 - 2014-04-30

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