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Toxikologische, physikalisch-chemische und gesellschaftliche Erforschung innovativer Materialien und Prozesse der Optoelektronik (TEMPO), Teilvorhaben: Expositionspotenzialerforschung von GaAs, GaN und Sic im Rahmen einer industriellen Halbleiterherstellung

Description: Das Projekt "Toxikologische, physikalisch-chemische und gesellschaftliche Erforschung innovativer Materialien und Prozesse der Optoelektronik (TEMPO), Teilvorhaben: Expositionspotenzialerforschung von GaAs, GaN und Sic im Rahmen einer industriellen Halbleiterherstellung" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: United Monolithic Semiconductors GmbH.

Types:
SupportProgram

Origin: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Schadstoffbelastung des Menschen ? Innenraumbelastung ? Galliumnitrid ? Photonik ? Anorganische Siliziumverbindung ? Abgasuntersuchung ? Abluft ? Schadstoffemission ? Schadstoffexposition ? Raumluftmessung ? Arbeitsplatz ? Arbeitsschutz ? Bewertungsverfahren ? Kausalzusammenhang ? Literaturauswertung ? Risikoanalyse ? Stoffbewertung ? Störfall ? Toxikologische Bewertung ? Wirkungsanalyse ? Messung ? Halbleiter ? Lebenszyklus ? Neuartige Materialien ? Physikalischer Vorgang ? Industrielles Verfahren ? Referenzwert ? Carbid ? Galliumarsenid ? Siliziumcarbid ? Validierung ?

Region: Baden-Württemberg

Bounding boxes: 9° .. 9° x 48.5° .. 48.5°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

Time ranges: 2013-09-01 - 2016-10-31

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Status

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