Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Charakterisierung von freistehenden GaN-Substraten durch elektrische Kenngrößen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von NaMLab gGmbH durchgeführt. Neue und verbesserte einkristalline Materialien für Leistungsbauelemente und Leuchtdioden bieten ein enormes Potential der Energieeinsparung. Um dies zu realisieren, ist es erforderlich, die Herstellung der 'Wide Bandgap' (WBG)-Kristalle kostengünstiger zu machen. Das Projekt adressiert die WBG Materialien: GaN und SiC. Für die Herstellung der WBG-Kristalle sind hohe Temperaturen und lange Prozesszeiten nötig. Die Reduktion des Energieverbrauchs je verwertbarem WBG Substrat ist ein wesentlicher Hebel für die Kostenreduktion. Verschiedene Materialdefekte (Kristallfehler) sowie weitere verfahrensbedingte Ursachen limitieren die Ausbeute an verwertbarem Kristallmaterial und begrenzen insbesondere verwertbare Kristalldurchmesser und -längen. Als Gesamtziel des Vorhabens soll ein besseres Verhältnis zwischen eingesetzter Energiemenge je Prozess und der Ausbeute an verwertbarem und qualitativ hochwertigem Kristallmaterial hergestellt werden. Dies bedeutet die Herstellung von längeren WBG-Kristallen, bzw. Kristallen mit größerem Durchmesser oder parallel mehr WBG-Kristallen pro Prozess. Gleichzeitig, im Falle des GaN müssen für die Herstellung alternative Keimsubstrate entwickelt und eingesetzt werden um diese Ziele zu erreichen. Für die beiden WBG-Materialien werden technologische Wege erarbeitet, die nutzbare Kristallausbeute zu erhöhen, möglichst lange Kristalle herzustellen, den Kristalldurchmesser zu vergrößern oder für GaN einen Mehrfach-Prozess zu entwickeln sowie die Keimherstellung zu verbessern. Dieses Teilprojekt umfasst die Charakterisierung von freistehenden GaN Substratwafern. Hierzu werden besondere Bauelement-Teststrukturen entwickelt und hergestellt, aus deren elektrischer Kenngrößen die Qualität der freistehenden GaN Kristallwafer bewertet wird.
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Leuchtdiode ? Substrat ? Galliumnitrid ? Elektronik ? Verfahrensoptimierung ? Qualitätsmanagement ? Energieeinsparpotenzial ? Energieeinsparung ? Kostensenkung ? Kristallisation ? Leitfähigkeit ? Produktionskosten ? Produktionstechnik ? Qualitative Analyse ? Verfahrenstechnik ? Werkstoffkunde ? Bauelement ? Halbleiter ? Neuartige Materialien ? Physikalische Größe ? Effizienzsteigerung ? Keim ? Wide-Bandgap-Halbleiter ?
Region: Sachsen
Bounding boxes: 10.40664° .. 10.40664° x 49.29433° .. 49.29433°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2016-09-01 - 2019-08-31
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=03ET1398B (Webseite)Accessed 1 times.