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Strukturelle Charakterisierung von Solarzellenstrukturen mittels Elektronenmikroskopie^MehrSi: Hocheffiziente III-V Mehrfachsolarzellen auf Silicium^MOCVD-Technologie für Hocheffiziente III-V-Mehrfachsolarzellen auf Silicium^Defektfreie Präparation und Charakterisierung von III-V-Filmen auf Si(100)-Substraten, Epitaxie, Prozessierung und Charakterisierung von III-V Mehrfachsolarzellen auf Silicium

Description: Das Projekt "Strukturelle Charakterisierung von Solarzellenstrukturen mittels Elektronenmikroskopie^MehrSi: Hocheffiziente III-V Mehrfachsolarzellen auf Silicium^MOCVD-Technologie für Hocheffiziente III-V-Mehrfachsolarzellen auf Silicium^Defektfreie Präparation und Charakterisierung von III-V-Filmen auf Si(100)-Substraten, Epitaxie, Prozessierung und Charakterisierung von III-V Mehrfachsolarzellen auf Silicium" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme.III-V Mehrfachsolarzellen erreichen bei weitem die höchsten Umwandlungseffizienzen von Sonnenlicht in elektrischen Strom von bis zu 38 %. Der Einsatz der III-V Halbleiter in photovoltaischen Flachmodulen schien bisher aufgrund hoher Herstellungs- und Substratkosten als unrealistisch. Die Verbundpartner am Fraunhofer ISE, der TU Ilmenau und der Univ. Marburg konnten aber kürzlich zeigen, dass sich III-V Verbindungen mit hoher Qualität auch direkt auf Silicium abscheiden lassen. Nur wenige Mikrometer an III-V Halbleitermaterial reichen dabei aus, um Mehrfachsolarzellen mit Wirkungsgraden von über 30 % auf Si zu realisieren. Die Kombination etablierter Silicium Solartechnologie mit den Vorteilen der III-V Halbleiter, eröffnet neue Optionen für höchsteffiziente Solarzellen und steht im Mittelpunkt des Projekts MehrSi. Durch eine Reduktion von Defektdichten und durch optimierte Solarzellenstrukturen sollen erstmals direkt auf Si gewachsene GaInP/GaAs(P) Mehrfachsolarzellen mit größer als 30 % Effizienz demonstriert werden. Neben grundlegender Material- und Bauelemententwicklung in den Forschungsgruppen werden Produktionsaspekte von Anfang an berücksichtigt. Der MOVPE Anlagenhersteller Aixtron SE bringt seine langjährige Erfahrung aus der LED Fertigung ein und wird Konzepte für großflächige und kostengünstige III-V Epitaxieprozesse erarbeiten.

Types:
SupportProgram

Origin: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Marburg ? Siliziumverbindung ? Substrat ? Solarstrom ? Arsen ? Gallium ? Phosphor ? Photovoltaik ? Silizium ? Solarzelle ? Indium ? Material ? Stromerzeugung ? Kristallographie ? Solartechnik ? Wirtschaftlichkeitsuntersuchung ? Qualitätsmanagement ? Abscheidung ? Kristallisation ? Werkstoffkunde ? Wirkungsgrad ? Anlagenbau ? Bauelement ? Halbleiter ? Solarstrahlung ? Effizienzsteigerung ? Dünnschichtmodul [Solarzelle] ? Galliumarsenid ? Galliumarsenidphosphid ? Galliumindiumphosphid ? III-V-Halbleiter ? Mehrfachsolarzelle ?

Region: Baden-Württemberg

Bounding boxes: 9° .. 9° x 48.5° .. 48.5°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

Time ranges: 2015-09-01 - 2018-08-30

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