Description: Im Rahmen eines Gemeinschaftsvorhabens 'Defekte in kristallinem Silizium' soll der Einfluss von Defekten in Silizium mehrerer Hersteller und der Einfluss verschiedener Solarzellentechnologien auf die elektrischen Eigenschaften der Solarzellen untersucht werden. An diesem Vorhaben sind sieben weitere Forschungseinrichtungen beteiligt. Mehrere Industriepartner sind assoziiert. Das IV. Physikalische Institut der Universitaet Goettingen soll die Identitaet und die raeumliche Verteilung von Fremdatomen und ihren Ausscheidungen sowie deren elektrische Eigenschaften untersuchen und mit den Diffussionslaengen der Minoritaetsladungstraeger korrelieren. Ferner sollen verschiedene Getterverfahren entwickelt und eingesetzt werden, um eine gezielte Umverteilung der Verunreinigungen aus den Bereichen der Proben, die die Funktion der Solarzellen beeinflussen, in solche Bereiche, die keinen Einfluss haben, zu erreichen.
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Tags: Göttingen ? Silizium ? Solarzelle ? Materialschaden ? Materialprüfung ? Solartechnik ? Prüfverfahren ? Forschungseinrichtung ? Halbleiter ? Hochschule ? Kristalldefekte ? Materialeigenschaft ? Materialverunreinigung ? Minoritaetsladungstraeger ? Multikristallines-Silizium ?
Region: Niedersachsen
Bounding boxes: 6.34585436170082° .. 11.598078494585739° x 51.295231899260386° .. 54.137910176972056°
License: Creative Commons Namensnennung-keine Bearbeitung-Nichtkommerziell 4.0
Language: Deutsch
Last harvest: 04.05.2026 00:15
Time ranges: 1993-10-01 - 1996-10-31
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