GaN-Leistungshalbleiter für Elektromobilität und Systemintegration durch bidirektionales Laden, Teilvorhaben: Galliumnitrid Leistungsbauelemente auf alternativen Substraten

Description: Das Projekt "GaN-Leistungshalbleiter für Elektromobilität und Systemintegration durch bidirektionales Laden, Teilvorhaben: Galliumnitrid Leistungsbauelemente auf alternativen Substraten" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz. Es wird/wurde ausgeführt durch: Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik.

SupportProgram

Origin: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Galliumnitrid ? Silizium ? Klimaschutz ? Elektromobilität ?

Region: Baden-Württemberg

Bounding boxes: 9° .. 9° x 48.5° .. 48.5°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

• Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (Bereitsteller*in)
• Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (Betreiber*in)
• Umweltbundesamt (Bereitsteller*in)

Time ranges: 2023-06-01 - 2026-05-31

Status

Aktiv

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