Neuartige Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz und Wirtschaftlichkeit auf der Basis von Verbindungshalbleitern mit großer Bandlücke (NeuLand), Teilvorhaben: Defektreduzierte 4H-SiC-Wafer für Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz

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Origins: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Substrat ? Kohlenstoff ? Silizium ? Materialschaden ? Materialprüfung ? Kristallisation ? Prüfverfahren ? Wirtschaftlichkeit ? Energieeffizienz ? Bauelement ? Physikalische Größe ? 4H-SiC-Wafer ? Halbleiter ? Metallcarbid ? Siliciumcarbid ?

Region: Bavaria

Bounding boxes: 11.5° .. 11.5° x 49° .. 49°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

• AIXTRON SE (Mitwirkung)
• AZZURRO Semiconductors AG (Mitwirkung)
• Bundesministerium für Forschung, Technologie und Raumfahrt (Finanzielle Förderung)
• Infineon (Mitwirkung)
• MicroGaN GmbH (Mitwirkung)
• SMA Solar Technology (Mitwirkung)
• SiCrystal AG (Projektverantwortung)
• Umweltbundesamt (Bereitstellung)

Time ranges: 2010-05-01 - 2013-04-30

Resources

• Webseite zum Förderprojekt

  https://www.tib.eu/de/filter?repno=13N10731 (Webseite)

Status

Aktiv

Quality score

• Overall: 0.49
• Findability: 0.62

  • Title: 1.00
  • Description: 0.00
  • Identifier: false
  • Keywords: 0.73
  • Spatial: RegionIdentified (1.00)
  • Temporal: true
• Accessibility: 0.67

  • Landing page: Specific (1.00)
  • Direct access: false
  • Publicly accessible: true
• Interoperability: 0.00

  • Open file format: false
  • Media type: false
  • Machine-readable metadata: false
  • Machine-readable data: false
• Reusability: 0.67

  • License: ClearlySpecifiedAndFree (1.00)
  • Contact info: false
  • Publisher info: true

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