Neuartige Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz und Wirtschaftlichkeit auf der Basis von Verbindungshalbleitern mit großer Bandlücke (NeuLand), Teilvorhaben: Defektreduzierte 4H-SiC-Wafer für Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz

Description: Das Projekt "Neuartige Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz und Wirtschaftlichkeit auf der Basis von Verbindungshalbleitern mit großer Bandlücke (NeuLand), Teilvorhaben: Defektreduzierte 4H-SiC-Wafer für Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: SiCrystal AG.

SupportProgram

Origin: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Substrat ? Silizium ? Materialschaden ? Materialprüfung ? Gelöster organischer Kohlenstoff ? Kristallisation ? Prüfverfahren ? Wirtschaftlichkeit ? Energieeffizienz ? Bauelement ? Halbleiter ? Physikalische Größe ? 4H-SiC-Wafer ? Metallcarbid ? Siliciumcarbid ?

Region: Bayern

Bounding boxes: 12.53381° .. 12.53381° x 47.795° .. 47.795°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

• AIXTRON SE (Mitwirkende)
• AZZURRO Semiconductors AG (Mitwirkende)
• Bundesministerium für Bildung und Forschung (Bereitsteller*in)
• Infineon (Mitwirkende)
• MicroGaN GmbH (Mitwirkende)
• SMA Solar Technology (Mitwirkende)
• SiCrystal AG (Betreiber*in)
• Umweltbundesamt (Bereitsteller*in)

Time ranges: 2010-05-01 - 2013-04-30

Resources

• Webseite zum Förderprojekt

  https://www.tib.eu/de/filter?repno=13N10731 (Webseite)

Status

Aktiv

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