Neuartige Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz und Wirtschaftlichkeit auf der Basis von Verbindungshalbleitern mit großer Bandlücke (NeuLand), Teilvorhaben: Defektreduzierte 4H-SiC-Wafer für Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz

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Origins: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Substrat ? Kohlenstoff ? Silizium ? Materialschaden ? Materialprüfung ? Kristallisation ? Prüfverfahren ? Wirtschaftlichkeit ? Energieeffizienz ? Bauelement ? Physikalische Größe ? Halbleiter ? 4H-SiC-Wafer ? Metallcarbid ? Siliciumcarbid ?

Region: Bayern

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License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

• AIXTRON SE (Mitwirkende)
• AZZURRO Semiconductors AG (Mitwirkende)
• Bundesministerium für Forschung, Technologie und Raumfahrt (Geldgeber*in)
• Infineon (Mitwirkende)
• MicroGaN GmbH (Mitwirkende)
• SMA Solar Technology (Mitwirkende)
• SiCrystal AG (Betreiber*in)
• Umweltbundesamt (Bereitsteller*in)

Time ranges: 2010-05-01 - 2013-04-30

Resources

• Webseite zum Förderprojekt

  https://www.tib.eu/de/filter?repno=13N10731 (Webseite)

Status

Aktiv

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