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Emitter für ein- und multikristalline Silicium-Solarzellen durch Laserdotierung

Description: Das Projekt "Emitter für ein- und multikristalline Silicium-Solarzellen durch Laserdotierung" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Universität Stuttgart, Institut für Physikalische Elektronik durchgeführt. Im Rahmen dieses Projektes erfolgt eine Optimierung des Laserdotierprozesses für polykristalline und einkristalline Sliziumscheiben. Ziel ist ein Zellwirkungsgrad über 17 Prozent auf einkristallinem Silizium. Der Laserdotierprozess bietet folgende Vorteile; 1. Reduktion der Prozesskosten bei der Zellherstellung durch einfache, platzsparende Lasertechnik ohne Reinraumtechnik. 2. Anpassung an zukünftige Zellfertigung im 100MW/a-Bereich durch modulare, nahezu beliebig skalierbare Lasertechnik. 3. Vermeidung umweltbelastender Stoffe durch Wegfall zweier Ätzschritte: Phosphorglas, Kantenisolation. 4. Reduzierung des Energieeinsatzes bei der Produktion durch Wegfall des Hochtemperatur-Dotierschrittes. Der Ersatz von Dotierpasten durch Sputter/PECVD-Prozesse sowie der Wegfall der Kantenisolierung erfolgt im Labormaßstab durch Prozessieren von 2 x 2 qcm große Solarzellen. Der Aufbau eines 25 W Lasersystems soll die für eine industrielle Umsetzung notwendigen hohen Durchsetzung bei gleichzeitig hohen Zellwirkungsgraden auf 12.5 x 12.5 qcm Wafern demonstrieren. In Zusammenarbeit mit der Fa. Manz Automation AG, Reutlingen, erstellen wir ein Konzept für die industrielle Umsetzung.

Types:
SupportProgram

Origin: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Reutlingen ? Stuttgart ? Elektronik ? Laser ? Silizium ? Solarzelle ? Umweltbelastung ? Verfahrensoptimierung ? Automatisierung ? Emissionsminderung ? Energieeinsparung ? Energietechnik ? Energieverbrauch ? Kostensenkung ? Modul ? Produktionstechnik ? Verfahrenstechnik ? Wirkungsgrad ? Produktdesign ? Effizienzsteigerung ? Laseranwendung ? Prozesskosten ?

Region: Baden-Württemberg

Bounding boxes: 9° .. 9° x 48.5° .. 48.5°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

Time ranges: 2005-06-01 - 2008-05-31

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