Description: Im vorliegenden Projekt sollen höherwertige, einkristalline n-Typ Si-Wafer für die Herstellung äußerst leistungsfähiger Solarzellen eingesetzt werden. Durch Aufbringen von CVD-(chemische Gasphasenabscheidung) basierten Schichten, die gleichzeitig zur Dotierung als auch zur Passivierung eingesetzt werden, wird die Komplexität der verwendeten Prozesssequenz zur Herstellung der Zellen im Vergleich zu herkömmlichen Verfahren bedeutend gesenkt. Dies bringt eine erhebliche Reduktion sowohl im Bereich der Betriebskosten als auch im Bereich der notwendigen Investitionskosten mit sich. CVD-basierte Dotierquellen bieten mit ihren passivierenden Eigenschaften insbesondere bei der Herstellung von IBC (Interdigitated Back Contact) Zellen großes Potential zur Kostensenkung.
SupportProgram
Origins: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Photovoltaik ? Silizium ? Solarzelle ? Solarkonzentrator ? Verfahrensparameter ? Verfahrensoptimierung ? Gasförmiger Stoff ? Abscheidung ? Betriebskosten ? Chemisches Verfahren ? Kostensenkung ? Produktionstechnik ? Vergleichsanalyse ? Oberflächenbehandlung ? Bauelement ? Industrielles Verfahren ? Investitionskosten ? IBC-Solarzelle ? Interdigitated Back Contact-Zelle ? Laseranwendung ?
Region: Baden-Württemberg
Bounding boxes: 9° .. 9° x 48.5° .. 48.5°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2016-07-01 - 2019-06-30
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=0324083B (Webseite)Accessed 1 times.