Description: Das Projekt "Entwicklung einer neuartigen SiN-Abscheideanlage fuer Photovoltaik-Anwendungen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Angewandte Solarenergie - ASE GmbH durchgeführt. Vor kurzem ist es am ISFH mit Hilfe von optimierten Siliciumnitrid (SiN) - Filmen gelungen, eine weltweit unerreichte Qualitaet bei oberflaechenpassivierenden Antireflexionsschichten auf kristallinen Si-Solarzellen zu erzielen. Siliciumnitrid wird zwar schon seit einigen Jahren in der Photovoltaik-Industrie eingesetzt, das bisher verwendete Verfahren (Direkt-PECVD) ist jedoch fuer eine kostenguenstige Massenfertigung von Solarzellen nicht geeignet. Mit den am ISFH entwickelten, mit dem sog. Remote-Verfahren hergestellten SiN-Filmen scheint eine Loesung dieses Problems in Sicht, denn aufgrund der technischen Besonderheiten des Remote-Verfahrens ist eine schnelle und kostenguenstige SiN-Beschichtung von einzelnen Si-Solarzellen moeglich. Deshalb soll im vorliegenden Projekt im Verbund mit der Fa. ASE am ISFH eine Prototypanlage zur schnellen SiN-Abscheidung gebaut werden. Bei erfolgreicher Realisierung des Anlagenkonzeptes koennen die Kosten der SiN-Beschichtung von Solarzellen deutlich reduziert werden. Dies waere ein wichtiger Schritt auf dem Weg zu einer kostenguenstigen Massenfertigung von Solarzellen. Es ist vorgesehen, die neu entwickelte Technologie im Rahmen der derzeit bei ASE aufgebauten Produktionsanlagen einzusetzen.
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Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Siliziumnitrid ? Photovoltaikanlage ? Solarenergie ? Solarzelle ? Solaranlage ? Solarindustrie ? Solartechnik ? Beschichtung ? Verfahrenstechnik ? Industrieanlage ? Versuchsanlage ? Globale Aspekte ? Antireflexionsschicht ? Direkt-PECVD ? Prototyp ? Remote-Verfahren ? SiN-Film ?
Region: Bayern
Bounding boxes: 12.53381° .. 12.53381° x 47.795° .. 47.795°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 1998-04-01 - 2000-12-31
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