Description: Das Projekt "Galiumnitridbasierte Leistungselektronikmodule für eine effiziente Elektromobilität - GanMobil, Teilvorhaben: Integration der GaN Schalter in zuverlässige Module für hochfrequentes Schalten" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG.Im Projekt GaNMobil soll die Anwendung von GaN-Halbleiterbauelementen in Leistungselektronikmodulen für elektrische Antriebe in Elektrofahrzeugen erforscht werden. Zu diesem Zweck werden schnellschaltende GaN-Halbleiter für diese Anwendung angepasst und in ein neuartiges Leistungselektronikmodul integriert. Mit einer sehr niederinduktiven Modulstruktur und einer gesinterten Aufbau- und Verbindungstechnik auf Folienbasis wird ein zuverlässiger und effizienter Betrieb in einem hochintegrierten Wechselrichter auch bei erhöhten Umgebungstemperaturen erreicht. Dafür beabsichtigen drei Industriepartner unterstützt durch zwei Forschungspartner systemgrenzen-übergreifend zukünftige Technologielösungen gemeinsam zu entwickeln, zu verifizieren sowie Optimierungsansätze abzuleiten und umzusetzen.
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Galliumnitrid ? Elektronik ? Elektroantrieb ? Elektrotechnik ? Regeltechnik ? Elektrofahrzeug ? Modul ? Produktionstechnik ? Elektromobilität ? Bauelement ? Halbleiter ? Technischer Fortschritt ? Effizienzsteigerung ? Temperaturerhöhung ? Wechselrichter ? Zuverlässigkeit ?
Region: Bayern
Bounding boxes: 12.53381° .. 12.53381° x 47.795° .. 47.795°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2016-11-01 - 2019-10-31
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=16EMO0206K (Webseite)Accessed 1 times.