Sno2 Untersuchungen, Entwicklung von Duennschichtsolarzellen fuer Tandemsysteme auf der Basis von Verbindungshalbleitern

Description: Amorphe Mischhalbleiter auf der Basis von Silizium fuer Tandemsolarzellen. Die Praeparation von amorphen Mischhalbleitern a-Sige:H, a-Sisn:H und a-Sic:H (a-Sin:H) zur gezielten Variation des Bandabstandes erfolgt mit DC- und RF-Glimmentladungen. Die Korrelation von Depositionsparametern mit Halbleiterkenngroessen ermoeglicht die Optimierung bezueglich geringer Zustandsdichte im GAP und effizienter Dotierbarkeit und somit die Realisierung von P-I-N-Barrierenstrukturen. Die Analysen von optischen, elektronischen und strukturellen Eigenschaften von Schichten, Barrieren und Solarzellen mit verschiedenen Bandabstaenden dient zur Beurteilung der Eignung der einzelnen Mischhalbleiter fuer photovoltaische Tandemsysteme.

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Tags: Silizium ? Solarzelle ? Halbleiter ? Siliziumherstellung ?

Region: Baden-Württemberg

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License: Creative Commons Namensnennung-keine Bearbeitung-Nichtkommerziell 4.0

Language: Deutsch

Organisations

• Battelle-Institut e. V. (Mitwirkung)
• Bundesministerium für Forschung, Technologie und Raumfahrt (Finanzielle Förderung)
• Umweltbundesamt (Bereitstellung)
• Universität Stuttgart (Projektverantwortung)

Last harvest: 04.05.2026 00:13

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