Description: Im Rahmen des Projekts 'Smart P VI-Box' werden Schaltungstopologien zur Integration von SiC- bzw. GaN-Bauelementen auf organischen Hochtemperatur-Leiterplatten-Substraten als Grundlage für die Verfahrens- und Applikationsentwicklungen hocheffizienter, kompakter Leistungselektroniken entwickelt. Dies wird am Beispiel eines Ladegeräts für das induktive Laden demonstriert. Durch den Einsatz neuer Hochtemperatur-Substrate inklusive Hochtemperatur-Lötstopplack in Kombination mit schnellschaltenden Leistungshalbleitern (SiC-/GaN-Halbleiter) eröffnen sich für das Ladegerät signifikante Optimierungspotentiale. Lösungsweg: 1. Systemauslegung für Leistungstopologie des Ladegeräts für induktives Laden durch den Einsatz von SiC-/GaN-Bauelemente in Leiterplattentechnik - a. Erarbeitung neuer Leiterplattenkonzepte durch Schaltungsoptimierung, Auswahl von SiC-/GaN-Bauelemente und Leiterplatten-Hochstromtechnologie - b. Entwärmungskonzept für die Anforderungen des Ladegeräts für induktives Laden. 2. Optimierung des Leiterplattenbasismaterials und Lötstopplacks hinsichtlich Spannungsfestigkeit, Wärmeleitfähigkeit, Temperaturbeständigkeit und Ausdehnungsverhalten. 3. Validierung der Systemauslegung und Materialentwicklungen sowie Nachweis der Relevanz für die Energiewende am Ladegerät für induktives Laden. Die Umsetzungskette im Verbundvorhaben startet mit den in TP0 definierten Anforderungen und Lastenheften als Grundlage für die Teilprojekte 1 bis 4. Die Systemauslegung für SiC-/GaN-Bauelemente auf Hochtemperatur-Leiterplatten TP1 startet gemeinsam mit der Materialentwicklung in TP2. In TP3 werden Testaufbauten zur Zuverlässigkeitsuntersuchung entwickelt, realisiert und analysiert. Aufbauend aus den Ergebnissen und Erkenntnissen aus TP1, TP2 und TP3 kann die Realisierung des Ladegeräts für induktives Laden TP4 erfolgen.
SupportProgram
Origins: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Lack ? Galliumnitrid ? Elektronik ? Energiewende ? Photovoltaik ? Anorganische Siliziumverbindung ? Material ? Anlagenoptimierung ? Regeltechnik ? Organisches Material ? Wärmeleitfähigkeit ? Energietransport ? Bauelement ? Kühlung ? Versuchsanlage ? Harz ? Physikalische Größe ? Effizienzsteigerung ? Temperaturbeständigkeit ? Anlagenbemessung ? Benzoxazinharz ? Carbid ? Halbleiter ? Haltbarkeit ? Hochstromtechnik ? Induktives Laden ? Polymerchemie ? Siliziumcarbid ? Validierung ? Werkstoffkunde ? Zuverlässigkeit ?
Region: Bavaria
Bounding boxes: 11.5° .. 11.5° x 49° .. 49°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2015-12-01 - 2018-11-30
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=0325916F (Webseite)Accessed 3 times.