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Teilvorhaben: Zwischenkreiskondensatoren für hohe Schaltfrequenzen, Temperaturen und Leistungen^Hochfrequenz-Hochstrom-Komponenten für den Einsatz in der Medizintechnik und Photovoltaik-Wechselrichtern der MW-Klasse - HHK^Teilvorhaben: Niederinduktive Module bzw. leistungselektronische Baugruppen mit SiC-Bauelementen für hohe Frequenzen, Temperaturen und Leistungen^Teilvorhaben: Charakterisierung, Untersuchung der Höhenstrahlungsfestigkeit, Aufbau 100kW HSS^Teilvorhaben: Hocheffiziente PV-Wechselrichter der Multi-MW Klasse mit SiC Hochstrommodule, Teilvorhaben: Niederinduktive Aufbautechnologien für Hochfrequenz-Hochstrom-Komponenten für den Einsatz in Photovoltaik-Wechselrichtern in der MW-Klasse

Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Zwischenkreiskondensatoren für hohe Schaltfrequenzen, Temperaturen und Leistungen^Hochfrequenz-Hochstrom-Komponenten für den Einsatz in der Medizintechnik und Photovoltaik-Wechselrichtern der MW-Klasse - HHK^Teilvorhaben: Niederinduktive Module bzw. leistungselektronische Baugruppen mit SiC-Bauelementen für hohe Frequenzen, Temperaturen und Leistungen^Teilvorhaben: Charakterisierung, Untersuchung der Höhenstrahlungsfestigkeit, Aufbau 100kW HSS^Teilvorhaben: Hocheffiziente PV-Wechselrichter der Multi-MW Klasse mit SiC Hochstrommodule, Teilvorhaben: Niederinduktive Aufbautechnologien für Hochfrequenz-Hochstrom-Komponenten für den Einsatz in Photovoltaik-Wechselrichtern in der MW-Klasse" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration.1. Vorhabenziel Im Projekt werden neue Aufbau-und Verbindungstechnologien für schnell schaltende Leistungshalbleitermodule unter Verwendung von neuen SiC Schaltern realisiert. Damit werden die Grundlagen gelegt, um die herausragenden Eigenschaften der SiC-Halbleiter auch im höheren Leistungsbereich zu nutzen. Die bei kleineren Leistungen bereits nachgewiesenen Vorteile sollen auch für diese Anwendungen verfügbar gemacht werden, wobei die hohen Ströme und schnellen Schaltflanken Innovationen in der AVT erfordern. Die derzeit noch höheren Kosten für diese Halbleiter werden mit höheren Schaltfrequenzen durch kleinere passive Bauteile mehr als kompensiert werden, außerdem wird der Aufwand für Kühlung und das Gerätevolumen sinken. Die technischen Aspekte, die dafür gelöst werden müssen, liegen vor allem in der Aufbautechnik der Leistungsmodule und deren Anbindung an den Zwischenkreis bzw. der Integration von Kondensatoren und Teilen der Treiber in das Leistungsmodul. Dies wird anhand der Anwendung Megawatt-Photovoltaik Umrichter demonstriert. 2. Arbeitsplanung Die Arbeit des Teilvorhabens gliedert sich in die Arbeitspakete: FHG AP1: Spezifikation und Topologieauswahl, FHG AP2: Definition Systemaufbau und Randbedingungen der Applikationen, FHG AP3: Konzeptstudien Leistungsmodul, Kondensator, Gatetreiber und Systemintegration, FHG AP4: Komponenten-Design und Musterbau, FHG AP5: Gatetreiber-Design und Musterbau, FHG AP6: Applikation Demonstrator Aufbau und Test, FHG AP7: Sondermessungen auf Modulebene und Bewertung.

Types:
SupportProgram

Origin: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Elektronik ? Photovoltaik ? Anorganische Siliziumverbindung ? Regeltechnik ? Elektrischer Kondensator ? Hochfrequente Felder ? Energieeinsparung ? Energietechnik ? Kostensenkung ? Produktionstechnik ? Systemtechnik ? Anlagenbau ? Bauelement ? Halbleiter ? Kühlung ? Versuchsanlage ? Technische Aspekte ? Medizintechnik ? Carbid ? Anlagengröße ? Photovoltaik-Wechselrichter ? Siliziumcarbid ?

Region: Berlin

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

Time ranges: 2013-11-01 - 2016-10-31

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