Umweltfreundliche Herstellung dotierter Kontaktschichten auf Basis von hydrogeniertem Silizium

Description: Das Projekt hat zum Ziel, eine verbesserte Dotierung von amorphem und mikrokristallinen Silizium zu entwickeln. Die elektronischen Eigenschaften von hydrogeniertem amorphem Silizium werden bei der Herstellung in der Gasphase durch Einsatz von Phosphin und Diboran fuer n- bzw. p-leitende Schichten kontrolliert. Unser Ziel ist es, diese hochtoxischen Gase durch alternative Ausgangsstoffe auf der Basis von Kohlenwasserstoffverbindungen zu ersetzen. Der Schwerpunkt der Arbeit liegt dabei auf der Optimierung des Dotierprozesses im Bereich hoher Leitfaehigkeiten.

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Origins: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Phosphin ? Alicyclischer Kohlenwasserstoff ? Kohlenwasserstoff ? Silizium ? Anorganische Siliziumverbindung ? Luftreinhaltung ? Gasförmiger Stoff ? Ersatzstoff ? Produktionstechnik ? Toxische Substanz ? Umweltfreundliches Produkt ? Verfahrenstechnik ? Schadstoffminderung ? GreenTech ? Plasmatechnik ? Duennschichttechnik ? Substitutionseffekt ?

Region: Sachsen

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License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

• Deutsche Bundesstiftung Umwelt (Geldgeber*in)
• FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden (Betreiber*in)
• Physikalisch-Technisches Institut (Mitwirkende)
• Technische Universität Dresden, Fakultät Elektrotechnik, Institut für Halbleiter- und Mikrosystemtechnik (Mitwirkende)
• Umweltbundesamt (Bereitsteller*in)

Time ranges: 1997-05-01 - 1999-09-30

Status

Aktiv

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