Schwerpunktprogramm (SPP) 1708: Materialsynthese nahe Raumtemperatur; Priority program (SPP) 1708: Material Synthesis near Room Temperature, Elektrochemische Synthese von III-V (GaN, InN, GaSb, InSb, AlSb) und Metallsulfid (ZnS, GaS) Verbindungshalbleitern und deren Nanostrukturen aus ionischen Flüssigkeiten

Description: Das Projekt beabsichtigt die Entwicklung von III-V-Verbindungshalbleitern (GaN, InN, GaSb, InSb und AlSb) und Metallsulfid-Verbindungshalbleitern (ZnS- und GaS) Dünnfilmen und Nanostrukturen (Nanoröhrchen, Nanodrähte und makroporöse Strukturen) bei elektrochemischer Abscheidung/stromloser Abscheidung in verschiedenen ionischen Flüssigkeiten nahe Raumtemperatur. Der Hauptfokus wird auf das Verständnis des Reaktionsmechanismus der Bildung der Verbindungshalbleiter gesetzt. Die Reaktionsmechanismen werden anhand von IL-Salz-Mischungen, Elektrode/Elektrolyt-Grenzfläche und der hergestellten Strukturen und Schichten analysiert. Der Einfluss der IL-Zusammensetzung auf die Morphologie und die optischen Eigenschaften der erhaltenen Halbleiter wird untersucht. Zusätzlich werden die Halbleiternanostrukturen Templat-basiert und Templat-frei elektrochemisch hergestellt, was eine neue Methode zur Synthese von Halbleiternanostrukturen nahe Raumtemperatur eröffnet.

SupportProgram

Origins: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Inn ? Elektrochemie ? Elektrolyt ? Morphologie ? Salz ? Gasgemisch ? Ionische Flüssigkeit ? Abscheidung ? Nanoobjekt ? Grenzschicht ? Halbleiter ? Eigenschaften von Funktionsmaterialien ? Elektrode ? Festkörperchemie ? Herstellung von Funktionsmaterialien ? Materialsynthese ? Oberflächenchemie ? Raumtemperatur ? Reaktionsmechanismus ? Synthese ?

Region: Niedersachsen

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

• Deutsche Forschungsgemeinschaft (Geldgeber*in)
• Technische Universität Clausthal, Institut für Elektrochemie (Betreiber*in)
• Umweltbundesamt (Bereitsteller*in)

Time ranges: 2014-01-01 - 2025-06-30

Alternatives

• Language: Englisch/English
  Title: Electrochemical Synthesis of III-V (GaN, InN, GaSb, InSb, AlSb) and Metal Sulfide (ZnS, GaS) Compound Semiconductors and their Nanostructures from Ionic Liquids
  Description: This project is intended to develop III-V (GaN, InN, GaSb, InSb and AlSb) and metal sulfide (ZnS and GaS) compound semiconductor thin films and their nanostructures (nanotubes, nanowires and macroporous structures) by electrodeposition / electroless deposition in various ionic liquids near room temperature. The major focus will be to understand the mechanism of formation of these compound semiconductors. The reaction mechanism will be studied based on analysis of the IL-salt mixtures, electrode/electrolyte interface and the resulting deposits. The influence of the IL composition on the deposit morphology and optical properties will be investigated. Furthermore, the semiconductor nanostructures will be made both by template-assisted and template-free electrochemical synthesis that opens up a new way to synthesize semiconductor nanostructures near room temperature. https://ufordat.uba.de/UFORDAT/pages/PublicRedirect.aspx?TYP=PR&DSNR=1088183

Resources

• Webseite zum Förderprojekt

  https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/253322406 (Webseite)

Status

Aktiv

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