Description: Das Teilprojekt der FAP besteht in erster Linie in Untersuchung, Design und Konstruktion eines großflächigen Abscheidesystems für die dynamische Deposition von amorphen Siliziumschichten mit hohen Substrattemperaturen bis 400 Grad Celsius für Hocheffizienz Si-Solarzellen Die Aktivitäten der FAP konzentrieren sich hierzu auf folgende Schwerpunkte: - Konzeptdesign eines kostenoptimierten skalierbaren PECVD Elektrodensystems basierend auf vorhandener PECVD Linearquellentechnologie von FAP zur Evaluierung der dynamischen a-Si Abscheidung bei Fraunhofer ISE mit Substrattemperaturen bis 400 Grad Celsius - Entwicklung eines prozesstauglichen Carriers, der einen Substrattransport mit hoher Geschwindigkeit ermöglicht, die Plasmaausbildung nicht negativ beeinflusst und eine gute (möglichst beidseitige) Beschichtungshomogenität ermöglicht Der Fokus liegt auf der Abscheidung Si-basierter Schichten im (dynamischen) in-line PECVD Verfahren im Frequenzbereich bis zu 60MHz. Hierzu wird eine PECVD Linearquellentechnologie der FAP hinsichtlich ihrer Eignung grundlegend untersucht und für die spezielle Anwendung für Hocheffizienz Si-Solarzellen optimiert. Ziele sind Design und Demonstration eines in-line PECVD Tools für die Produktion von Hocheffizienz Si-Solarzellen mit höherem Durchsatz und entsprechend niedrigeren Kosten im Vergleich zu den bisher üblichen statischen PECVD Prozessen.
Types:
SupportProgram
Origins:
/Bund/UBA/UFORDAT
Tags:
Solarzelle
?
Abscheider
?
Abscheidung
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Bewertung
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Produktionskosten
?
Produktionstechnik
?
Amorphe Solarzelle
?
Spediteur
?
Untersuchungsschwerpunkt
?
Werkzeug
?
Region:
Sachsen
Bounding boxes:
10.40664° .. 10.40664° x 49.29433° .. 49.29433°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Organisations
Time ranges:
2019-01-01 - 2021-12-31
Alternatives
-
Language: Englisch/English
Title: DYNASTO - Dynamic deposition of a-Si and TCO layers for high-efficiency Si solar cells for highly productive production at reduced manufacturing costs; Subproject: Optimisation of the PECVD linear source technology for dynamic deposition of a-Si layers for high-efficiency Si solar cells
Description: The subproject of the FAP consists primarily of the investigation, design and construction of a large-area deposition system for the dynamic deposition of amorphous silicon layers with high substrate temperatures up to 400 degree Celsius for high-efficiency Si solar cells: - Conceptual design of a cost-optimized scalable PECVD electrode system based on existing PECVD linear source technology from FAP for the evaluation of dynamic a-Si deposition at Fraunhofer ISE with substrate temperatures up to 400 degree Celsius - Development of a process-compatible carrier that allows substrate transport at high speed, does not negatively influence plasma formation and allows good (preferably double-sided) coating homogeneity The focus is on the deposition of Si-based layers in the (dynamic) in-line PECVD process in the frequency range up to 60MHz. For this purpose, a PECVD linear source technology of FAP is fundamentally investigated with regard to its suitability and optimized for the special application for high-efficiency Si solar cells. Aim is the design and demonstration of an in-line PECVD tool for the production of high-efficiency Si solar cells with higher throughput and correspondingly lower costs compared to the static PECVD processes commonly used so far
https://ufordat.uba.de/UFORDAT/pages/PublicRedirect.aspx?TYP=PR&DSNR=1081991
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