Description: Das Projekt "Teilvorhaben: Grundlagenentwicklung für ein lateral hochauflösendes spektroskopisches Ellipsometer^Neuartige hochauflösende Metrologie an High-End Fotomasken für energieeffiziente Nanoelektronik (CoolMaskMetro), Teilvorhaben: Modelle und Simulationen für die Charakterisierung von high-End Fotomasken (CoolMaskMetroSim)" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: NaMLab gGmbH.Auf Maskenebene sind die Uniformität und Linienrauigkeit (Engl. Line-Edge Roughness = LER) die zentralen Maskeneigenschaften welche die Leckströme des Chips und damit dessen Stromverbrauch beeinflussen. Für die zerstörungsfreie optische Inspektion und geometrische Oberflächencharakterisierung von Strukturen im entwickelten Fotolack der High-End Fotomasken soll das Potential einer lateralen hochauflösenden spektroskopischen Ellipsometrie/Scatterometrie mit einer Spotgröße von 10 Mikrometer erforscht werden. Eine im Vergleich zur konventionellen Ellipsometrie um den Faktor 10 erhöhte laterale Auflösung könnte die flächenmäßige Verkleinerung von Testfeldern auf High-End Fotomasken um zwei Größenordnungen gestatten und die Platzierung der Testfelder an relevanten Positionen innerhalb der Maske bzw. die direkte Messung der Maskenstrukturen ermöglichen. Gleichzeitig sollte die Forschung an entsprechend neuartigen theoretischen Modellen die Einsatzmöglichkeiten der Metrologie im Bereich Uniformität und LER verbreitern. Für die NaMLab gGmbH liegt der Fokus der Arbeiten im Bereich der Modellbildung und Simulation. Ziel des Teilprojektes ist es, gemeinsam mit dem Verbundpartner Sentech Modelle der optischen und geometrischen Eigenschaften der Maskenstrukturen zu erstellen, Simulationen und Messungen für die neuartige Ellipsometerkonfiguration durchzuführen und die Leistungsfähigkeit des Systems durch Vergleich mit etablierten Referenzmethoden zu bewerten.
SupportProgram
Origin: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Lack ? Elektronik ? Bildverarbeitung ? Elektrizitätsverbrauch ? Materialprüfung ? Spektralanalyse ? Beschichtung ? Qualitätsmanagement ? Stromeinsparung ? Messverfahren ? Prüfverfahren ? Simulation ? Simulationsmodell ? Vergleichsanalyse ? Modellierung ? Energieeffizienz ? Halbleiter ? Physikalische Größe ? Nanotechnologie ? Auflösungsvermögen ? Ellipsometrie ? High-End Fotomaske ? Leckstrom ? Metrologie ? Miniaturisierung ? Nanobereich ? Scatterometrie ? line-edge roughness ?
Region: Sachsen
Bounding boxes: 10.40664° .. 10.40664° x 49.29433° .. 49.29433°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2011-09-01 - 2014-04-30
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter?repno=16N11496 (Webseite)Accessed 1 times.