CZ3003 - Entwicklung einer Czochralski-Anlagentechnologie zur Herstellung von Silizium-Einkristallen mit Einwaagen größer 300 kg und Kristalllängen größer 3 m, Teilvorhaben: Anlagenentwicklung, Prozessentwicklung und Komponentenentwicklung

Description: Dieses Vorhaben soll dazu beitragen, einen wesentlichen Schritt zu leisten, um das Czochralski-Verfahren (Cz) zur Herstellung von monokristallinen Silizium-Wafern für die Photovoltaik (PV) unter dem Gesichtspunkt eines immer weiter ansteigenden Kostendrucks weiterzuentwickeln. Neben der drastischen Reduzierung der Prozesskosten müssen gleichzeitig die permanent steigenden Anforderungen an die Materialqualität erfüllt werden. Diese Anforderungen können nur durch eine konsequente Weiterentwicklung der Anlagentechnologie erfüllt werden, die zum einen die Kostenreduzierungspotenziale hardwareseitig und softwareseitig ausschöpft und zum anderen ganz neue Wege im Design der Heizeinrichtung beschreitet, um eine deutliche Verbesserung in der Materialqualität zu erreichen. Zu den Kostenreduzierungspotenzialen gehören z.B. eine leistungsfähige Nachchargiereinrichtung für große Massen und eine aktive Kristallkühlung für maximale Ziehgeschwindigkeiten. Diese Komponenten sollen zusammen mit den Ziehanlagen (Cz-Puller) in Dimensionen entwickelt und hergestellt werden, die einen maximalen Durchsatz von Kristallmaterial ermöglichen.

SupportProgram

Origins: /Bund/UBA/UFORDAT

Tags: Photovoltaik ? Silizium ? Prozesskosten ? Verfahrensschritt ?

Region: Hessen

Bounding boxes: 10.779° .. 10.779° x 52.01702° .. 52.01702°

License: cc-by-nc-nd/4.0

Language: Deutsch

Organisations

• Bundesministerium für Wirtschaft und Energie (Geldgeber*in)
• Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (Mitwirkende)
• PVA Crystal Growing Systems GmbH (Betreiber*in)
• Umweltbundesamt (Bereitsteller*in)

Time ranges: 2019-01-01 - 2022-12-31

Alternatives

• Language: Englisch/English
  Title: CZ3003 - Development of a Czochralski system technology for the production of silicon single crystals with weights greater than 300 kg and crystal lengths greater than 3 m; Subproject Plant development, process development and component development
  Description: This project is intended to contribute to a significant step towards further developing the Czochralski process (Cz) for the production of monocrystalline silicon wafers for photovoltaics (PV) in the face of ever-increasing cost pressure. In addition to drastically reducing process costs, the constantly increasing demands on material quality must be met at the same time. These requirements can only be met by a consistent further development of the system technology, which on the one hand exploits the cost reduction potential on the hardware and software side and on the other hand breaks completely new ground in the design of the heating system in order to achieve a significant improvement in material quality. The cost reduction potentials include, for example, an efficient recharging device for large masses and active crystal cooling for maximum drawing speeds. These components are to be developed and manufactured together with the pulling equipment (Cz-Puller) in dimensions that allow a maximum throughput of crystal material. https://ufordat.uba.de/UFORDAT/pages/PublicRedirect.aspx?TYP=PR&DSNR=1080981

Status

Aktiv

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