Description: Im Rahmen des Verbundvorhabens werden innovative Aufbau- und Verbindungskonzepte auf Basis von neuen, organischen Hochtemperatur-Leiterplatten-Substraten entwickelt. Mit innovativen Schaltungstopologien, neuen Bauelementen (Siliziumkarbid(SiC)- beziehungsweise Galliumnitrid(GaN)-Leistungshalbleiter) und deren Integration in die Leiterplatte sowie entsprechenden Entwärmungskonzepten werden hocheffiziente, materialsparende, kompaktere und damit kostengünstigere leistungselektronische Systeme entwickelt. Die Validierung der Systemauslegung und der hochtemperaturbeständigen Materialien werden anhand eines Demonstrators für einen Photovoltaikwechselrichter gezeigt.
SupportProgram
Origins: /Bund/UBA/UFORDAT
Tags: Substrat ? Lack ? Galliumnitrid ? Elektronik ? Photovoltaik ? Anorganische Siliziumverbindung ? Material ? Regeltechnik ? Organisches Material ? Wärmeleitfähigkeit ? Produktionstechnik ? Kosteneffizienz ? Bauelement ? Kühlung ? Versuchsanlage ? Neuartige Materialien ? Effizienzsteigerung ? Systemtechnik ? Temperaturbeständigkeit ? Anlagenbemessung ? Carbid ? Halbleiter ? Haltbarkeit ? Hochstromtechnik ? Kompaktbauweise ? Materialeinsparung ? Siliziumcarbid ? Validierung ? Werkstoffkunde ?
Region: Nordrhein-Westfalen
Bounding boxes: 6.76339° .. 6.76339° x 51.21895° .. 51.21895°
License: cc-by-nc-nd/4.0
Language: Deutsch
Time ranges: 2015-12-01 - 2018-11-30
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=0325916E (Webseite)Accessed 2 times.