Description: Im Rahmen des Verbundvorhabens werden innovative Aufbau- und Verbindungskonzepte auf Basis von neuen, organischen Hochtemperatur-Leiterplatten-Substraten entwickelt. Mit innovativen Schaltungstopologien, neuen Bauelementen (Siliziumkarbid(SiC)- beziehungsweise Galliumnitrid(GaN)-Leistungshalbleiter) und deren Integration in die Leiterplatte sowie entsprechenden Entwärmungskonzepten werden hocheffiziente, materialsparende, kompaktere und damit kostengünstigere leistungselektronische Systeme entwickelt. Die Validierung der Systemauslegung und der hochtemperaturbeständigen Materialien werden anhand eines Demonstrators für einen Photovoltaikwechselrichter gezeigt.
SupportProgram
Tags: Lack ? Galliumnitrid ? Elektronik ? Photovoltaik ? Anorganische Siliziumverbindung ? Material ? Regeltechnik ? Organisches Material ? Wärmeleitfähigkeit ? Kosteneffizienz ? Bauteil ? Kühlung ? Versuchsanlage ? Neuartige Materialien ? Effizienzsteigerung ? Systemtechnik ? Analytik ? Anlagenbemessung ? Carbid ? Halbleiter ? Haltbarkeit ? Hochstromtechnik ? Kompaktbauweise ? Materialeinsparung ? Siliziumcarbid ? Temperaturbeständigkeit ? Validierung ? Werkstoffkunde ?
Region: Bavaria
Bounding boxes: 11.5° .. 11.5° x 49° .. 49°
License: Creative Commons Namensnennung-keine Bearbeitung-Nichtkommerziell 4.0
Language: Deutsch
Last harvest: 20.04.2026 00:20
Time ranges: 2015-12-01 - 2018-11-30
Webseite zum Förderprojekt
https://www.tib.eu/de/filter/?repno=0325916B (Webseite)Accessed 2 times.