Im Projekt KOOPERATION werden zwei Hauptziele verfolgt. Zum einen soll auf einem Siliziumcarbid(SiC)-Leistungsmodul ein sogenannter RC-Snubber (SiRC) zum Einsatz kommen, der die parasitären Effekte dämpft, die bei Schaltvorgängen mit SiC-Komponenten auftreten. Wegen dieser Effekte, und den daraus resultierenden Schwingungen, müssen SiC-Transistoren langsamer geschaltet werden, als eigentlich möglich wäre. Durch den RC-Snubber werden die störenden Schwingungen gedämpft und die Transistoren können mit höheren Schaltgeschwindigkeiten betrieben werden. Dies reduziert die Schaltverluste und steigert die Effizienz der SiC-Komponente. Zum anderen wird ein Dual-Use-Ansatz verfolgt, indem der im Antriebsstrang verbaute Gleichstromwandler auch als Ladegerät fungiert. Ermöglicht werden soll dies durch eine Topologieumschaltung, die nicht nur sehr hohe Leistungen für das Laden mit Wechsel- oder Gleichstrom zulässt, sondern auch die Möglichkeit zur deutlichen Erhöhung der Ladeleistung bietet. Die Integration von Baugruppen und deren gesteigerte Effizienz erlaubt zudem eine deutliche Reduzierung der Baugröße.
In diesem Verbundprojekt sollen neuartige Elektrodenmaterialien entwickelt werden, die sich durch drei wesentliche Materialeigenschaften auszeichnen: hohe Passivierwirkung, sehr gute optische Eigenschaften und elektrische Leitfähigkeit. Es werden Elektroden entwickelt, die auf dielektrischen Schichten basieren und mit der PERC Anlagentechnik und Prozessführung kompatibel sind. Weiterhin werden Elektroden mit verbesserter Transparenz und besserer passivierender Wirkung für a-Si:H/c-Si Heterokontaktsolarzellen angestrebt. FAP: Ziel des Teilvorhabens ist die Entwicklung einer Hot-Wire Linienquelle und einer PECVD Abscheidung mit Plasmafrequenzen bis 200 MHz für diese Aufgabenstellung. Es werden drei wissenschaftliche Ansätze verfolgt. Zum einen sollen heutige dielektrische Passivierungsschichten durch Dotierung und Einführung von Laminatstrukturen weiterentwickelt werden. Im zweiten Ansatz werden amorphe und mikrokristalline Halbleiter mit hohen Bandlücken (a-SiOx, a-SiC und Mikro c-SiOx) entwickelt. Um die Passivierungswirkung dieser Materialien weiter zu erhöhen, werden im dritten Ansatz neue Abscheideverfahren mit extrem geringer Grenzflächenschädigung für Heterokontakt-Solarzellen entwickelt. Für die drei Ansätze werden zunächst die neue Prozessanlagentechnik und die entsprechenden Prozesse entwickelt. Danach finden die Materialentwicklung und abschließend die Demonstration und Verifikation in funktionierenden Solarzellen statt.
In diesem Verbundprojekt sollen neuartige Elektrodenmaterialien entwickelt werden, die sich durch drei wesentliche Materialeigenschaften auszeichnen: Hohe Passivierwirkung, sehr gute optische Eigenschaften und elektrische Leitfähigkeit. Es werden Elektroden entwickelt, die auf dielektrischen Schichten basieren und mit der PERC Anlagentechnik und Prozessführung kompatibel sind. Weiterhin werden Elektroden mit verbesserter Transparenz und besserer passivierender Wirkung für a Si:H/c Si Heterokontaktsolarzellen angestrebt. Für TUD: Ziel des Teilvorhabens ist die Entwicklung amorpher und mikrokristalliner Halbleiter mittels VHF PECVD und Vergleich mit Hot-Wire CVD. Es werden drei wissenschaftliche Ansätze verfolgt. Zum einen sollen heutige dielektrische Passivierungsschichten durch Dotierung und Einführung von Laminatstrukturen weiterentwickelt werden. Im zweite Ansatz werden amorphe und mikrokristallinen Halbleitern mit hohen Bandlücken (a SiOx, a SiC und Mikro c SiOx) entwickelt. Um die Passivierungswirkung dieser Materialien weiter zu erhöhen, werden im dritten Ansatz neue Abscheideverfahren mit extrem geringer Grenzflächenschädigung für Heterokontakt-Solarzellen entwickelt. Für die drei Ansätze werden zunächst die neue Prozessanlagentechnik und die entsprechenden Prozesse entwickelt. Danach findet die Materialentwicklung und abschließende die Demonstration und Verifikation in funktionierenden Solarzellen statt.
Ziele des Verbundprojektes sind die Entwicklung flexibler Verkapselungsfolien für organisch basierte Photovoltaik(OPV)-Module und der Verfahrensschritte ihrer Herstellung bis zum industrienahen Maßstab. Die Folien werden zu OPV-Modulen verarbeitet und sowohl als Einzelfolien als auch als Module hinsichtlich ihrer Qualität umfassend bewertet. Im Teilprojekt erfolgen die Entwicklung von Einzelbarrierefolien und Hochbarrierelaminaten, die technologische Weiterentwicklung der Herstellungsprozesse, ihre Aufskalierung zu industrietauglichen Prozessen zur Herstellung wettbewerbsfähiger OPV-Verkapselungsmaterialien sowie die Ermittlung der Kosten. Ausgehend von Vorarbeiten sind zunächst SiOx-beschichtete Polymerfolien (Einfachbarrierefolien) durch UV-Bestrahlung einer nasschemisch aufgebrachten Polysilazanschicht im Rolle-zu-Rolle-Verfahren (R2R) herzustellen. Nachfolgend werden zwei Einfachbarrierefolien zu einem Hochbarrieverbund mit folgenden Key-Parametern laminiert: Wasserdampfpermeation kleiner als 10-4 g/(m2 d), Lebensdauer größer als 10 Jahre, Kosten kleiner als 10 Euro pro m2. Die R2R Gesamttechnologie ist zu entwickeln und in den industrienahen Maßstab für Bahnbreiten bis 50 cm aufzuskalieren. Die Arbeiten erfolgen im Rahmen eines Verbundprojektes. Der Zuwendungsempfänger (ZE) erhält neu entwickelte Beschichtungslösungen aus dem Teilprojekt 1. Die Arbeiten im Teilprojekt 2 des ZE sind eng verflochten mit Teilprojekt 3 'Entwicklung und Optimierung von Materialien und Herstellungsverfahren für Hochbarrierefolien - Industrialisierungskonzept'. Für Teilprojekt 4 'Verkapselung und Charakterisierung von OPV-Modulen' werden vom ZE entwickelte Hochbarrierefolien für die Verkapselung von OPV-Modulen und die Bewertung ihrer Eignung bereitgestellt. Der ZE des Teilprojekts 5 'Material- und Modulcharakterisierung' erhält Einzel- und Hochbarrierefolien zur qualitativen Bewertung und Fehleranalyse. Gemeinsam mit Teilprojekt 3 wird ein Industrialisierungskonzept erstellt.
Photovoltaikinverter nehmen nach derzeitigem Stand der Technik einen großen Bauraum ein und weisen eine hohe Masse auf. Ursächlich hierfür ist insbesondere der große Kühlkörper, der für die auf keramischen Substraten basierende Leistungselektronikeinheit erforderlich ist. Ziel ist die Entwicklung eines kleinen, leichten, effizienten Photovoltaikinverters durch neuartige Schaltungstopologien und Entwärmungskonzepte. Dazu sind die folgenden Technologien erforderlich: - Optimierte Schaltungstopologien für Leiterplattenkonzepte - Einsatz SiC- / GaN-Bauelemente - Hochtemperaturleiterplatten, Hochtemperatur-Lötstopplack Lösungsweg: 1. Systemauslegung für Leistungstopologie des Photovoltaikinverters durch den Einsatz von SiC-/GaN-Bauelemente in Leiterplattentechnik a. Erarbeitung neuer Leiterplattenkonzepte durch Schaltungsoptimierung, Auswahl SiC-/GaN-Bauelemente und Leiterplatten-Hochstromtechnologie b. Entwärmungskonzept für reduziertes Kühlkörpervolumen 2. Optimierung Leiterplattenbasismaterial und Lötstopplack hinsichtlich Spannungsfestigkeit, Wärmeleitfähigkeit, Temperaturbeständigkeit und Ausdehnungsverhalten 3. Validierung der Systemauslegung und Materialentwicklungen sowie Nachweis der Relevanz für die Energiewende am Photovoltaikinverter Die Koordination des Vorhabens erfolgt durch den Konsortialführer Bosch sowie die Leiter der Teilprojekte. Die in TP0 definierten Anforderungen und Lastenhefte bilden die Grundlage für die anderen Teilprojekte. Die Systemauslegung für SiC-/GaN-Bauelemente auf Hochtemperatur-Leiterplatten TP1 startet gemeinsam mit der Materialentwicklung in TP2. In TP3 werden Testaufbauten zur Zuverlässigkeitsuntersuchung entwickelt, realisiert und analysiert. Aufbauend aus den Ergebnissen und Erkenntnissen aus TP1, TP2 und TP3 kann die Realisierung des Photovoltaikinverter-Demonstrators erfolgen.
Für neue Konzepte in den Bereichen Elektromobilität, Energiespeicherung und -Erzeugung stellt die Leistungselektronik eine wichtige Schlüsselkomponente dar. Eine wesentliche Herausforderung bei der Entwicklung leistungselektronischer Stellglieder ist eine niederinduktive Anbindung der internen Komponenten sowie die Aufbau- und Verbindungstechnik. Für diese beiden Arbeitsgebiete sollen im Rahmen des Projektes neue Konzepte entwickelt und im Praxiseinsatz erprobt werden. Als Grundidee sollen die klassischer Weise getrennt hergestellten Teilkomponenten Zwischenkreiskondensator (DC-Link) und Halbleitermodul (Leistungshalbleiter in entsprechenden Standardgehäusen) zu einem gemeinsamen Modul mit genau definierten und optimierten Betriebseigenschaften verbunden werden. Die neuen Module sollen schneller und effizienter schalten können, und gleichzeitig weniger elektromagnetische Störungen verursachen. Sie sollen in Zukunft helfen, moderne elektrische Antriebe effizienter und kompakter gestalten zu können. Ein weiteres Projektziel besteht darin, entsprechende Technologien dauerhaft an der Hochschule Landshut zu etablieren. Besonderes Augenmerk liegt hierbei auf der vergleichenden Untersuchung von konventionellen, siliziumbasierten Halbleiterbauelementen und neuen, gerade auf den Markt gekommenen SiC-Halbleitern. Diese ermöglichen ein sehr schnelles und energieeffizientes Schalten, verursachen aber auch deutliche Probleme im Bereich der elektromagnetischen Verträglichkeit. Aufbau und Test der geplanten Module, die Beantwortung der projektinternen Fragestellungen sowie die Etablierung des entsprechenden Knowhows sollen im Rahmen von insgesamt 7 Arbeitspaketen erfolgen: 1. Spezifikation integriertes Modul - 2. Konstruktion integriertes Modul - 3. Aufbau erster Modulprototypen / Aufbau Infrastruktur und Testumgebung - 4. Inbetriebnahme, Messung und Analyse - 5. Redesign und Weiterentwicklung - 6. Praxiseinsatz - 7. Dokumentation.
Gesamtziel des Vorhabens ist es, die Vorteile der SiC-Halbleiter für Hochstromanwendungen im höheren Leistungsbereich zu erschließen. Durch neuartige SiC-Leistungsmodule und hierfür speziell zugeschnittene neue Stromrichtersysteme sollen die Kosten gesenkt sowie Wirkungsgrad und Energieeffizienz gesteigert werden. Gleichzeitig gilt es, die besonderen Applikationsanforderungen der Photovoltaik hinsichtlich Funktionalität, Wirkungsgrad und Lebensdauer sicherzustellen bzw. zu verbessern. Ziel im Teilvorhaben SMA ist die Gewinnung von Erkenntnissen zur Eignung, Rahmenbedingungen und technisch-wirtschaftlichem Potential des SiC-Einsatzes bei sehr großen PV-Wechselrichtern sowie die Erarbeitung optimierter, praxistauglicher Ansätze zur Einbindung dieser neuen Leistungsmodule in die spezielle PV-Wechselrichtertechnik, einschließl. ihrer Evaluierung in einem Demonstrator. Es soll der Machbarkeits- und Wirtschaftlichkeitsnachweis der SiC-Hochstromtechnik für PV-Wechselrichter sehr hoher Leistung geführt sowie erste Grundlagen für eine zukünftige technische Anwendung dieses Ansatzes gelegt werden. Hierfür werden die Anforderungen aus PV-Wechselrichtersicht definiert, optimale Leistungsmodule konzipiert und für die von den Partnern entwickelten niederinduktiven SiC-Hochstrommodule eine passende Wechselrichtertechnik entwickelt, evaluiert und demonstriert. Das durch diesen neuen Ansatz ermöglichte Kostenreduktionspotential und die zukünftigen Perspektiven werden ermittelt und bewertet.
Entwicklung eines leistungselektronischen Umrichters mit 250 kW mit SiC-Halbleitern zur Anbindung einer Hochleistungs-/energiebatterie an das Verteilnetz. Für die Entwicklung werden Vorserienmuster von 3,3-kV-SiC-MOSFETs genutzt. Mit diesen Bauelementen sollen SiC-Leistungsmodule zu 150 - 300 A entwickelt werden. Erst die Entwicklung von niederinduktiven HV-SiC-Halbleitermodulen schafft die Grundlage für die Entwicklung von Mittelspannungsumrichtern hoher Leistung. In einem 3,3-kV-Netz ergeben sich hierbei Umrichterleistungen von 250 - 1.000 kVA. Über die Mittelspannungsebene wird der Hochleistungsspeicher eingebunden, der dann in das 110-kV-Netz gekoppelt wird. Hochleistungsspeicher ermöglichen den kurzzeitigen Inselbetrieb von Industrieanlagen und sichern somit kostenkritische Produktionsprozesse bei Netzausfällen. Weiter ermöglichen mehrere Hochleistungsspeicher im Verbund des 110-kV-Netzes den Wiederaufbau des Netzes und das Anfahren von Kraftwerken. Damit können Hochleistungsspeicher neben den klassischen Pumpspeicherseen eine weitere strategisch wichtige Säule zur Schwarzstartfähigkeit der Energieversorgung bilden. Durch die Verbundpartner dieses Vorhabens ist die gesamte wirtschaftliche Wertschöpfungskette vom Komponentenhersteller, Leistungselektronikhersteller, Systemintegrator und Netzbetreiber dargestellt. Die Forschungsaspekte zu Bauelementen, Leistungselektronik, System- und Regelungstechnik werden durch das Fraunhofer ISE flankiert. Semikron wird die Entwicklung der niederinduktiven HV-SiC-Halbleitermodule durchführen. Die Entwicklung der induktiven Leistungsbauelemente und die Durchführung damit verbundener Studien werden von STS übernommen.
Hochleistungsspeicher ermöglichen den kurzzeitigen Inselbetrieb von Industrieanlagen und sichern somit kostenkritische Produktionsprozesse bei Netzausfällen. Ziel des Vorhabens ist die Entwicklung eines leistungselektronischen Umrichters mit 250 kW mit SiC-Halbleitern zur Anbindung einer Hochleistungsenergiebatterie an das Verteilnetz. Innerhalb des Vorhabens 'SiC-MSBat' werden neue leistungselektronische Konzepte basierend auf innovativen Halbleitertechnologien entwickelt, die die Systemkosten senken und damit eine schnellere, unkomplizierte und effiziente Integration von Speichern in Mittelspannungsnetze ermöglichen. Für die Entwicklung werden Vorserienmuster von 3,3 kV SiC MOSFETs und Dioden verwendet. Das Ziel im Teilvorhaben ist damit zuverlässige Leistungselektronikmodule zu konzipieren, die durch ihre Eigenschaften ein gutes Skalierungspotentialbieten. Dabei liegt ein besonderer Fokus auf hohen Schaltfrequenzen die besondere Herausforderungen mit sich bringen. So muss das Layout der Modulschaltung zu niedrigen Induktivitäten hin optimiert werden, um Schaltverluste zu reduzieren und hohe Überspannungen zu vermeiden.
| Organisation | Count |
|---|---|
| Bund | 100 |
| Wirtschaft | 1 |
| Wissenschaft | 24 |
| Zivilgesellschaft | 1 |
| Type | Count |
|---|---|
| Förderprogramm | 100 |
| License | Count |
|---|---|
| Offen | 100 |
| Language | Count |
|---|---|
| Deutsch | 99 |
| Englisch | 3 |
| Resource type | Count |
|---|---|
| Keine | 16 |
| Webseite | 84 |
| Topic | Count |
|---|---|
| Boden | 44 |
| Lebewesen und Lebensräume | 41 |
| Luft | 44 |
| Mensch und Umwelt | 100 |
| Wasser | 22 |
| Weitere | 100 |