Das Projekt "Entwicklung und Optimierung von Verbindungshalbleitern zur photovoltaischen und katalytischen Energieumwandlung" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH, Bereich Physikalische Chemie durchgeführt. Die Weiterentwicklung und Optimierung aussichtsreicher Systeme fuer photovoltaische und (photo)elektrokatalytische Prozesse ist geplant. Bei der stromerzeugenden Energieumwandlung stehen Forschungen zur Optimierung des elektronischen Verhaltens von Pyrit (FeS2) und Roquesit (CuInS2) im Vordergrund. Darueber hinaus sollen neuartige, vielversprechende Halbleiter auf ihre Anwendbarkeit untersucht werden. Bei der Weiterentwicklung von katalytisch aktiven Materialien sind Verbindungen mit reaktiven Uebergangsmetallzentren von besonderem Interesse. Die Herstellung neuartiger bzw modifizierter Chevrelphasen sowie die Oberflaechenbeeinflussung von Halbleitern durch katalytisch aktive Reaktanden soll durchgefuehrt werden.
Das Projekt "Duennschichtsolarzellen auf Verbindungshalbleiterbasis" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH, Bereich Physikalische Chemie durchgeführt. Solorzellen auf der Basis von CuInS2 Schichten sollen im Hinblick auf ihren Wirkungsgrad optimiert werden. Angestrebt wird die Umsetzung der bislang verwendeten Prozessschritte fuer eine grossflaechige Zellenstruktur. Daneben wird eine Uebertragung des Herstellungsverfahrens von photoaktiven CuInS2 Schichten auf sequentielle Prozesse untersucht. Parallel werden verschiedene Ansaetze zur Verbesserung der Einzelkomponenten einer aus CuInS2/Buffer/ Fenster bestehenden Struktur mit Betonung des Fenstermaterials ZnO unternommen. Die anderen Teilvorhaben des Antrags widmen sich a) der Herstellung texturierter Absorberschichten auf Basis von Schichtgitterchalkogeniden durch Umwandlung von Oxidschichten sowie der Integration in eine p-i-nStruktur, b) der Herstellung duenner Filme und Kristalle von Uebergangsmetallclustern in Chalkogenmatrix und der Untersuchung der molekular-elektronischen Ursachen ihrer (photo)katalytischen Reaktivitaet und c) der Her stellung neuer Emitterstrukturen fuer Injektionssolarzellen mit hochabsorbierenden Chalkogenidfilmen als Sensibilisator.
Das Projekt "Entwicklung und Charakterisierung duenner photoaktiver Schichten neuartiger Verbindungshalbleiter" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH, Bereich Physikalische Chemie durchgeführt. Duenne Schichten von neuartigen, hochabsorbierenden Verbindungshalbleitern sollen mittels unterschiedlicher Verfahren praepariert werden. Als geeignete Materialien werden zunaechst FeS2, CuInS2 und Schichtgitterverbindungen des Typs MX2 (M=Mo, W; X=S, Se) beruecksichtigt, die alle hohe Absorptionskonstanten und geeignete Energieluecken fuer Solarenergieumwandlung aufweisen. Als Praeparationsverfahren sind chemische Spruehverfahren, Aufdampfverfahren, Depositionsverfahren von metallorganischen Verbindungen (MOCVD) und Epitaxietechniken (MBE) vorgesehen. Die Halbleiterschichten sollen bezueglich ihrer elektronischen und optischen Eigenschaften charakterisiert und in Bezug auf ihre Eignung fuer Solarenergieumwandlung entwickelt werden. Zusaetzlich sollen Polymerverbindungen bezueglich ihrer Eignung als photoaktives Medium untersucht und entwickelt werden.