Das Projekt "Galliumarsenid-Duennschichtsolarzellen" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Forschung und Technologie. Es wird/wurde ausgeführt durch: Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme.Galliumarsenid-Solarzellen finden weltweit wieder steigendes Interesse. Die Gruende dafuer liegen in ihrem hohen Wirkungsgrad (um 20 Prozent), ihrer guten Eignung fuer Konzentrator- und Weltraumanwendungen und der Moeglichkeit, durch Variation des Bandabstandes (bei GaAlAs) Tandemanordnungen zu realisieren. Obwohl die aktive Schichtdicke im Bereich von nur wenigen Mikrometer liegt, werden die Kosten fuer Galliumarsenid-Solarzellen wesentlich durch das teure Galliumarsenid-Substrat bestimmt. In Fortsetzung eines am ISE durchgefuehrten Projekts soll versucht werden, Galliumarsenid-Schichten hoher Qualitaet auf Fremdsubstrat, vorzugsweise Silicium herzustellen. Dabei wird einerseits ein am Institut entwickeltes Gasphasenepitaxie-Verfahren mit selektiver Keimbildung und nachfolgendem Ueberwachsen eingesetzt; andererseits sollen sehr duenne Galliumarsenid-Schichten durch Molekularstrahlepitaxie hergestellt und anschliessend mit Gas- oder Fluessigphasenepitaxie auf einige Mikrometer verdickt werden. Neben diesen praeparativen Arbeiten werden zahlreiche Untersuchungsmethoden zur Schichtcharakterisierung eingesetzt, insbesondere ein am Institut entwickelten Verfahren zur Traegerlebensdauermessung. Schliesslich sollen Methoden der Zelltechnologie, vor allem zur Herstellung des Frontseitengrid bei GaAlAs erarbeitet werden.