Das Projekt "Herstellung und Untersuchung von beta-FeSi2-Si-Heterostrukturen fuer Anwendungen in der Photonik" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH, Institutsteil Berlin-Adlershof, Bereich A Angewandte Physik, Abteilung Photovoltaik durchgeführt. Ziel ist die Herstellung niedrig-dotierter stoechiometrischer epitaktischer beta-FeSi2-Schichten auf 111-orientiertem Si-Substrat mit Hilfe thermisch und plasmaunterstuetzter CVD-Verfahren unter Verwendung von Silan und leichtfluechtiger Eigenverbindungen sowie mit MBE-Verfahren und Sputtern von Mischtargets. Dabei soll insbesondere der Si-beta-FeSi2-Heterouebergang mit mikroanalytischen, elektrischen und photoelektrischen Verfahren charakterisiert und hinsichtlich einer moeglichst geringen Defektdichte optimiert werden. Es wird erhofft, dass sich grossflaechige Detektoren fuer Bildaufnahmesysteme vom Sichtbaren bis ins Infrarote und kostenguenstige Duennschicht-Solarzellen realisieren lassen.
Das Projekt "Untersuchung von Eisendisilizid-(beta-FeSi2)-Duennschichten fuer PV-Anwendungen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH, Institutsteil Berlin-Adlershof, Bereich A Angewandte Physik, Abteilung Photovoltaik durchgeführt. Das Projekt zielte auf die Klaerung einer Nutzung von Eisendisilizid fuer photovoltaische Anwendungen in Heterostrukturen zum Si. Die Erwartungen gruendeten sich auf einen hohen Absorptionskoeffizienten im sichtbaren Bereich, auf die Kompatibilitaet der Herstellung mit Si-Technologie, auf die Ungiftigkeit der Komponenten und der Verbindung. Als bestes Verfahren zur Herstellung von beta-FeSi2 hat sich die Kodeposition erwiesen (Koverdampfen, MBE). Der Si-beta-FeSi2-Heterouebergang ist durch eine hohe Grenzflaechenrekombination charakterisiert, dies begrenzt in starkem Masse die open-circuit-Spannung. Ein Photoresponse der Heterouebergaenge konnte nur unterhalb 100 K beobachtet werden. Aus gegenwaertiger Sicht ist eine erfolgreiche Einbindung von beta-FeSi2 in PV-Anwendungen als gering einzuschaetzen.