Im beantragten Forschungsprojekt werden Mikrosensoren entwickelt, die geeignet sind, die Wachstumsaktivität in der Kambialregion lebender Bäume auf dem Niveau wenige Zellen umfassender Gewebeverbände direkt, zeitnah und zerstörungsarm zu erfassen. Das Sensorkonzept basiert auf Methoden der Impedanzspektroskopie, einem in der Biologie etablierten Analyseverfahren, mit dem der frequenzabhängige komplexe Wechselstromwiderstand des Gewebes bestimmt wird. Die charakteristischen elektrischen Parameter gehen in die Modellierung eines Ersatzschaltbildes en, womit sich der aktuelle Zustand des Gewebes mit seinen resistiven und kapazitiven Eigenschaften darstellen und beschreiben lässt. Die Elektroden werden so dimensioniert, dass die aktive Kambialregion (Kambium mit lebendem Phloem und Xylem) möglichst exakt erfasst wird und charakteristische, gewebespezifische Zeitkonstanten bestimmt werden können. Damit können die Zellteilungs- und Ausdifferenzierungsvorgänge während der Wachstumsphase kontinuierlich und zeitlich hochaufgelöst beobachtet werden. Die Entwicklung dieser Messmethodik ist die Grundlage für die später angestrebte Anwendung im Umweltmonitoring und wird die Kenntnisse über die Steuerung der Wuchsreaktionen von Waldbäumen auf Umwelteinflüsse deutlich erweitern.
Das Teilvorhaben beschäftigt sich mit der Bestimmung elektrischer Kenngrößen eines neuen Hochleistungsmoduls (neuer IGBT-Chip, neue planare Aufbau- und Verbindungstechnik) mit unbekannten Eigenschaften sowie deren Charakterisierung für die Verwendung in HGÜ-Anwendungen. Durch die Messungen sollen Verbesserungsvorschläge für die Auslegung und Optimierung der Module gegeben werden. Die Daten fließen auch in Untersuchungen zur Zuverlässigkeit des Hochleistungsmoduls sowie der Prognose der Lebensdauer ein. Die gewonnenen Erkenntnisse finden am Ende des Projektes bei der Evaluation der Eigenschaften des Moduls in einem vorgegebenen System Verwendung, um Aussagen über die pros&cons des Einsatzes des Moduls treffen zu können. Die Problemstellungen werden auf analytischem, simulativem und experimentellem Wege bearbeitet. Es werden im professureigenen Halbleiterteststand Messungen zur Ermittlung der elektrischen Eigenschaften der Hochleistungsmodule durchgeführt. Parallel dazu beschäftigen sich theoretische Arbeiten mit Fehler- und Ausfallmechanismen der neuen planaren AVT, um Gegenmaßnahmen ableiten zu können. Hierbei wird der Umrichter auch für Simulationen zur Überprüfung der Gegenmaßnahmen modelliert. Erkenntnisse hieraus fließen in Untersuchungen zur Lebensdauerprognose ein. Bis diesen Arbeiten ist ein Ziel die Entwicklung eines online-Prognoseverfahrens. Mit dem vorliegen der Ergebnisse aus den meisten Arbeitspaketen wird gegen Ende des Projektes die Systemevaluation durchgeführt.