Untersucht wird die galvanische Herstellung duenner Halbleiterschichten fuer photovoltaische Anwendungen als potentiell kostenguenstiges Verfahren im Vergleich zu den gaengigen Aufdampfverfahren. Schwerpunkte: - Untersuchung der Kinetik der Schichtbildung und der Keimbildung, - Herstellen von p-n-Uebergaengen, - Uebertragung der entwickelten Methoden auf verschiedene Verbindungshalbleiter. Ergebnisse: Photovoltaisch aktive Cu2S-Schichten geeigneter Qualitaet koennen reproduzierbar hergestellt werden (eta der Zellen: 3,3 Prozent). Die Methode ist auf CuInS2 anwendbar.