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Galvanische Herstellung von halbleitenden duennen Filmen fuer die Photovoltaik

Untersucht wird die galvanische Herstellung duenner Halbleiterschichten fuer photovoltaische Anwendungen als potentiell kostenguenstiges Verfahren im Vergleich zu den gaengigen Aufdampfverfahren. Schwerpunkte: - Untersuchung der Kinetik der Schichtbildung und der Keimbildung, - Herstellen von p-n-Uebergaengen, - Uebertragung der entwickelten Methoden auf verschiedene Verbindungshalbleiter. Ergebnisse: Photovoltaisch aktive Cu2S-Schichten geeigneter Qualitaet koennen reproduzierbar hergestellt werden (eta der Zellen: 3,3 Prozent). Die Methode ist auf CuInS2 anwendbar.

Fluessigphasenepitaxie von Silicium, Technologie- und Anlagenentwicklung zur Zuechtung von Si auf polykristallinem Silicium und alternativen Unterlagen

Das Gesamtziel des Projektes liegt in der angewandten Forschung auf dem Gebiet der Fluessig-phasenepitaxie von Silicium. Unter Nutzung von Ergebnissen der Grundlagenforschung zur Abscheidung von Silicium auf einkristallinen Siliciumsubstraten aus dem Max-Planck-Institut Stuttgart sollte die Uebertragbarkeit auf billigere Substratmaterialien und groessere Substratabmessungen sowie die oekonomische und technische Realisierbarkeit von LPE-Techniken und Technologien untersucht werden. Die Arbeiten im Projekt konzentrierten sich auf die Schwerpunkte: 1. Abscheidung von epitaktischen Siliciumschichten auf polykristallinen Substraten. 2. Untersuchungen zur Herstellung und zum Einsatz von alternativen Unterlagen als Substrate fuer die Fluessigphasenepitaxie von Silicium. 3. Entwicklung einer Anlagenkonzeption zur Abscheidung von Epitaxieschichten auf Substratflaechen von 4.

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