Das Projekt "NANOGAS" wird/wurde gefördert durch: Kommission der Europäischen Gemeinschaften Brüssel. Es wird/wurde ausgeführt durch: Universität Tübingen, Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, Abteilung Analytische Chemie.Zur Kontrolle und zum Nachweis von gasfoermigen Schadstoffen fuer Fahrzeuge, Verbrennungs- und Feuerungsanlagen sowie im Personenschutz werden Sensoren aus SnO2, TiO2 und gemischten Oxiden wie Sn1-xMxO2 und Ti1-xMxO2 entwickelt. Nanokristalline Schichten aus diesen Materialien lassen prinzipielle Vorteile gegenueber klassischen Keramiken oder Dickschichten erwarten, sich physikalisch-chemische Eigenschaften von Nanokristallen von makroskopischen Kristallen unterscheiden. Ziel des Projekts ist es u.a., definierte Korngroessen- und Korngrenzenverteilungen entsprechend der nachzuweisenden Schadgase (CO, Nox, CH4, CxHy) gezielt einzustellen.
Das Projekt "Fluessigphasenepitaxie von Silicium, Technologie- und Anlagenentwicklung zur Zuechtung von Si auf polykristallinem Silicium und alternativen Unterlagen" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung, Wissenschaft, Forschung und Technologie. Es wird/wurde ausgeführt durch: Institut für Kristallzüchtung (IKZ) im Forschungsverbund Berlin e.V..Das Gesamtziel des Projektes liegt in der angewandten Forschung auf dem Gebiet der Fluessig-phasenepitaxie von Silicium. Unter Nutzung von Ergebnissen der Grundlagenforschung zur Abscheidung von Silicium auf einkristallinen Siliciumsubstraten aus dem Max-Planck-Institut Stuttgart sollte die Uebertragbarkeit auf billigere Substratmaterialien und groessere Substratabmessungen sowie die oekonomische und technische Realisierbarkeit von LPE-Techniken und Technologien untersucht werden. Die Arbeiten im Projekt konzentrierten sich auf die Schwerpunkte: 1. Abscheidung von epitaktischen Siliciumschichten auf polykristallinen Substraten. 2. Untersuchungen zur Herstellung und zum Einsatz von alternativen Unterlagen als Substrate fuer die Fluessigphasenepitaxie von Silicium. 3. Entwicklung einer Anlagenkonzeption zur Abscheidung von Epitaxieschichten auf Substratflaechen von 4.