Das Projekt "Entwicklung und Charakterisierung duenner photoaktiver Schichten neuartiger Verbindungshalbleiter" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH, Bereich Physikalische Chemie durchgeführt. Duenne Schichten von neuartigen, hochabsorbierenden Verbindungshalbleitern sollen mittels unterschiedlicher Verfahren praepariert werden. Als geeignete Materialien werden zunaechst FeS2, CuInS2 und Schichtgitterverbindungen des Typs MX2 (M=Mo, W; X=S, Se) beruecksichtigt, die alle hohe Absorptionskonstanten und geeignete Energieluecken fuer Solarenergieumwandlung aufweisen. Als Praeparationsverfahren sind chemische Spruehverfahren, Aufdampfverfahren, Depositionsverfahren von metallorganischen Verbindungen (MOCVD) und Epitaxietechniken (MBE) vorgesehen. Die Halbleiterschichten sollen bezueglich ihrer elektronischen und optischen Eigenschaften charakterisiert und in Bezug auf ihre Eignung fuer Solarenergieumwandlung entwickelt werden. Zusaetzlich sollen Polymerverbindungen bezueglich ihrer Eignung als photoaktives Medium untersucht und entwickelt werden.