Auf Halbleiter-Substraten werden Polymerschichten mit definierten Eigenschaften hergestellt. Die Schichtsysteme werden systematisch modifiziert durch die Strukturierung des Substrats, die Polymerisationsbedingungen durch gezielten Einsatz des Rastertunnelmikroskops (STM), das Einlagern unterschiedlicher Dotiermolekuele und unterschiedliche Kontaktierung. Zur Charakterisierung der Schichten und ihrer Grenzflaechen dienen einerseits oberflaechen- und grenzflaechen-analytische Methoden wie XPS, UPS, TDS, SIMS und STM und andererseits zeit- und ortsaufgeloeste Fluoreszenz und winkelabhaengige ATR-Spektroskopie im UV/VIS-, IR- und FIR-Bereich. Dielektrische und Transport-Eigenschaften werden ueber Impedanzspektroskopie bestimmt. Ihre atomistische Interpretation ermoeglicht die systematische Optimierung ueber gezielte Ankopplung der ersten Monolage.