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Duennschicht-Solarzellen aus amorphen Silizium-Legierungen

Das Projekt "Duennschicht-Solarzellen aus amorphen Silizium-Legierungen" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Forschung und Technologie. Es wird/wurde ausgeführt durch: Siemens AG.Ziel des Vorhabens ist die Entwicklung von stabilen Duennschicht-Tandem-Solarzellen mit einem Gesamt-Wirkungsgrad von mehr als 16 vH auf der Basis von hydrogenisiertem amorphen Silizium (a-Si:H) und seinen Legierungen mit Germanium (a-SiGe:H) und Kohlenstoff (a-SiC:H). Diese Solarzellen werden durch ihren Aufbau als 2-Kontakt-Zellen mit nur einer Glasseite und einer Kunststoff-Rueckseitenbeschichtung besonders kostenguenstig. Der Schwerpunkt der Arbeiten gilt der Erhoehung des Wirkungsgrades durch Schichtabscheideverfahren mit neuen Plasmen. Wesentliche Teilziele des Vorhabens bilden die Entwicklung neuer Front- und Rueckkontakte sowie die Entwicklung eines kostenguenstigen Strukturierungsverfahrens zur Herstellung von serienverschalteten Modulen in dem ausschliesslich Laser verwendet werden.

Beschichtung von flexiblen Substraten mit a-Silizium-pin-Solarzellen mittels einer VHF-PECVD Durchlaufanlage

Das Projekt "Beschichtung von flexiblen Substraten mit a-Silizium-pin-Solarzellen mittels einer VHF-PECVD Durchlaufanlage" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Umwelt, Naturschutz und Reaktorsicherheit. Es wird/wurde ausgeführt durch: Technische Universität Dresden, Institut für Halbleiter- und Mikrosystemtechnik.Das Gesamtziel des Vorhabens besteht in der Weiterentwicklung eines hochproduktiven dynamischen Verfahrens zur Abscheidung von a-Silizium-Solarzellen auf flexiblen Polmerfolien auf der Basis einer VHF-Plasma-CVD-Durchlaufanlage. Das Vorhaben beinhaltet die Entwicklung einer Technologie zur Herstellung einfacher pin-Solarzellen auf flexiblem Bandsubstrat einschließlich der Bearbeitung von Rolle auf Rolle. Das beantragte Projekt nutzt die Erfahrungen und Erkenntisse zweier Projekte (Forschungsvorhaben 0329563C und 0329563D). Im Rahmen dieser Projekte entstand in Zusammenarbeit mit der Technischen Universität Dresden und der FAP GmbH Dresden eine Vierkammerversuchsanlage (Investitionsvolumen ca. 1 Mio. Euro). Die Anlagenmodule sind bereits jetzt soweit entwickelt, dass auf ihrer Basis Pilotanlagen aufgebaut werden könnten. Diese vorhandene Versuchsanlage kann mit geringem Aufwand für die Untersuchung der Beschichtung von flexiblen Foliensubstraten eingesetzt werden. Ziel ist es, das anlagentechnische Know-how für die Beschichtung nicht nur von flexiblen pin-Solarzellen zu erlangen, sondern diese Technologie für weitere Bereiche, wie z.B. den medizinischen Bereich, Labels usw. zu nutzen.

Entwicklung/Umsetzung wissenschaftlicher und technischer Grundlagen für die Herstellung von Dünnschicht-Solarzellen auf der Basis des a-Si:H/myc-Si:H mit der 'Hot-Wire'-Depositionstechnik II

Das Projekt "Entwicklung/Umsetzung wissenschaftlicher und technischer Grundlagen für die Herstellung von Dünnschicht-Solarzellen auf der Basis des a-Si:H/myc-Si:H mit der 'Hot-Wire'-Depositionstechnik II" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Umwelt, Naturschutz und Reaktorsicherheit / Bundesministerium für Wirtschaft und Technologie. Es wird/wurde ausgeführt durch: Rheinland-Pfälzische Technische Universität Kaiserslautern-Landau, Fachbereich Physik.Mit umfangreichen Untersuchungen an überwiegend mikrokristallinen (my-Si) Siliziumschichten (dotierten und intrinsischen) wurden die Voraussetzungen geschaffen, myc-Si-Einzelsolarzellen sowie a-Si/myc-Si-Tandem- und Triplesolarzellenstrukturen ausschließlich mit der thermo-katalytischen oder sog. 'hot wire' (HW) CVD herzustellen. Die verschiedenen Solarzellen wurden sowohl in der Substrat (nip) - als auch in der Superstrat (pin) - Abscheidungssequenz präpariert. Das primäre Ziel des Vorhabens, einen hohen stabilisierten Wirkungsgrad von eta stabil (Einzelzelle) größer als 7 Prozent bzw. eta stabil (Tandemzelle) größer als 9 Prozent für Solarzellen zu erhalten, die mit der HWCVD auf kleinen Flächen hergestellt wurden, wurde für Einzelzelle mit eta stabil (myc-Si-nip) = 7,6 Prozent übertroffen und für Tandemzelle mit eta stabil (a-Si/myc-Si-nipnip) = 7,9 Prozent nicht ganz erreicht. Die Gründe für den geringen Zuwachs in der Tandemsolarzellenstruktur werden eingehend diskutiert. Im Rahmen der Untersuchungen zur Herstellungsreproduzierbarkeit von Si-Dünnschichtsolarzellen mit der HWCVD ist eine umfassende Studie zur Ta-Katalysatoralterung und -regenerierung durchgeführt worden.

FP4-NNE-JOULE C, Pv Modules optimised for Building Integration

Das Projekt "FP4-NNE-JOULE C, Pv Modules optimised for Building Integration" wird/wurde gefördert durch: Kommission der Europäischen Gemeinschaften Brüssel. Es wird/wurde ausgeführt durch: Angewandte Solarenergie - ASE GmbH.General Information: The aim of this project is the development of new designs of PV modules optimised for their use as building elements, with a common characteristic: the light transmittance through the module structure to allow the natural daylighting of inner rooms and offices. Between the possible applications of this kind of modules, three building integration applications have been selected: glazed facades, windows and grazing atria. Conventional solar cells will be used, considering the three technologies of Silicon cells: mono-, multi-crystalline and amorphous Silicon solar cells. The associated partners will focus their efforts in the optimisation of PV modules for these applications taking into account several inter-related subjects currently not well characterised under the operating conditions of building integration systems: the electro-optical, thermal and luminous (light transmittance) behaviour of modules. These aspects have a relevant impact on the comfort of the indoor environment and the final-user's quality-of-life. The research on these subjects will conduct to an optimisation process of PV module designs, where parameters such as, e.g., the cell size and separation (for c-Si cells), the device thickness/transmission ratio (for a-Si), the electrical interconnection, the module structure based on a double glass configuration, the passive-cooling methods, the support structures and installation methods or the user safety will be especially considered, without neglecting the building aesthetic and a cost-effective design. To analyse these important subjects, two European R and D centres (CIEMAT and ECN) and three PV module manufacturers (ISOFOTON, ASE and PST) will join their experience and facilities in this RTD project. The work programme will be developed in four consecutive stages: - Preliminary measurements on different types of m-Si, p-Si and a-Si modules and cells coming from the current production models of the manufacturers to determine its constraints and the aspects that should be improved for building integration applications. - Module design and optimisation. Definition of the optimum PV module (for each one of these applications) with reference to its structure (cell size/area, inter-cell separation, front and back covers) and to the PV system (frames and junction boxes, endurance tests, electrical configuration, etc.). - Manufacturing. Each manufacturer will produced several samples with two different module designs according to the conclusions inferred in the previous studies. - Characterisation and Evaluation. Complete characterisation of the prototypes. Economic evaluation. The expected achievements through the execution of the project are as follows: Prime Contractor: Centro de investigaciones energeticas, medioambientales y tecnologicas, departmento de energias renovables; Madrid.

Untersuchungen zu den technischen Moeglichkeiten der Verwertung und des Recyclings von Solarmodulen auf Basis von kristallinem und amorphem Silicium

Das Projekt "Untersuchungen zu den technischen Moeglichkeiten der Verwertung und des Recyclings von Solarmodulen auf Basis von kristallinem und amorphem Silicium" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung, Wissenschaft, Forschung und Technologie. Es wird/wurde ausgeführt durch: Pilkington Solar International.

'Langfrist-F+E-Programm Phototronics' zur Evaluierung und Entwicklung innovativer Technologien im Bereich des amorphen Siliziums, die etwa Mitte der 90er Jahre zum Einsatz kommen

Das Projekt "'Langfrist-F+E-Programm Phototronics' zur Evaluierung und Entwicklung innovativer Technologien im Bereich des amorphen Siliziums, die etwa Mitte der 90er Jahre zum Einsatz kommen" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Forschung und Technologie. Es wird/wurde ausgeführt durch: Angewandte Solarenergie - ASE, Produktzentrum Phototronics.Das 'Langfrist-FuE-Programm Phototronics' ist darauf ausgerichtet, innovative technologische Konzepte im Bereich des amorphen Siliziums (a-Si) zu evaluieren und zu entwickeln, die langfristig in fortschrittlichen Produkten und den zugehoerigen Fertigungsverfahren/-anlagen zum Einsatz kommen. Der Schwerpunkt liegt dabei auf technologischen Konzepten, die eine signifikante Reduktion der Herstellkosten photovoltaischer Solarmodule ermoeglichen. Das Vorhaben umfasst FuE-Themen zu folgenden Komplexen der a-Si/Duennschichttechnologie: - Neue Materialien/Legierungen, die fuer Mehrschichtzellkonzepte mit hohem Wirkungsgrad benoetigt werden. - Neue Konzepte fuer Solarzellen, insbesondere solche, in denen zur Erzielung hoher Wirkungsgrade und Stabilitaet mehrere Einzelzellen aus verschiedenen Legierungen uebereinandergeschichtet werden. - Neue Substrate, insbesondere kostenguenstige Non-Glas-Substrate. - Neue Abscheideverfahren und die zugehoerigen Anlagenkonzepte, insbesondere solche, die eine grossflaechige und kostenguenstige Abscheidung der verschiedenen Schichten erlauben. - Neuartige Anwendungskonzepte fuer Duennschichtsolarmodule, insbesondere solche, in denen vom Solarmodul Zusatzfunktionen neben der direkten Umwandlung von Licht in Elektrizitaet uebernommen werden. - Neue Strukturierungskonzepte fuer die Herstellung integrierter, verschalteter Module. - Neue Konzepte fuer die Laminierung/Verkapselung, Kontaktierung und Rahmung von photovoltaischen Solarmodulen. Die rechnerische Modellierung von Solarzellen/-modulen.

Entwicklung und Optimierung von Prozessen zur Fertigung hocheffizienter grossflaechiger a-Si-PV-Module, Entwicklung und Optimierung von Prozessen zur Fertigung hocheffizienter grossflaechiger a-Si-PV-Module

Das Projekt "Entwicklung und Optimierung von Prozessen zur Fertigung hocheffizienter grossflaechiger a-Si-PV-Module, Entwicklung und Optimierung von Prozessen zur Fertigung hocheffizienter grossflaechiger a-Si-PV-Module" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: Angewandte Solarenergie - ASE, Produktzentrum Phototronics.Auf Basis des etablierten Technologiestatus wird folgendes angestrebt: - Entwicklung von grossflaechigen Modulen mit stabilisierten Wirkungsgraden von 7 bis 8 Prozent (mittelfristig) (Umsetzung, Verbesserung und Optimierung von etablierter Technologie), - Entwicklung der technologischen Grundlagen zur Umsetzung von innovativen Basistechnologien, um langfristig Module mit Eta stabil = 10 Prozent herstellen zu koennen, - Weiterentwicklung und Optimierung aller relevanten verfahrenstechnischen Prozesse, um bei Fortfuehrung und Intensivierung der Pilotierung einen wirtschaftlichen Fertigungsbetrieb zu demonstrieren.

Duennschicht-Solarzellen aus amorphem Silizium - Photo CVD

Das Projekt "Duennschicht-Solarzellen aus amorphem Silizium - Photo CVD" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Forschung und Technologie. Es wird/wurde ausgeführt durch: Universität Frankfurt, Institut für Physikalische und Theoretische Chemie.Die heutigen Methoden zur Abscheidung von amorphem Silizium basieren fast ausschliesslich auf dem Verfahren der Plasma CVD. Der Antrag hat die Entwicklung eines Verfahrens zur Herstellung von Schichten mit Hilfe von photochemischer Zersetzung der Ausgangssubstanzen zum Ziel. Bei diesem Verfahren spielt die Quantenenergie des Lichtes eine entscheidende Rolle. Da die photochemische Zersetzung ueber die elektronische Anregung der Molekuele verlaeuft, liegen die Quantenenergien im UV bzw Vacuum UV. Das Verfahren sieht vor, verschiedene Lichtquellentypen zu Photo CVD zu benutzen. Wegen der Selektivitaet photochemischer Prozesse ist damit zu rechnen, dass durch die beabsichtigte Ausnutzung laserdiagnostischer Methoden eine gezielte Studie des Mechanismus der entscheidenden Schritte des Abscheidungsprozesses und eine Untersuchung der den Schichtaufbau im wesentlichen tragenden Intermediaten gemacht werden kann.

Entwicklungsarbeiten zur Photovoltaik: Grundlagen und Technologie von Duennschichtsolarzellen

Das Projekt "Entwicklungsarbeiten zur Photovoltaik: Grundlagen und Technologie von Duennschichtsolarzellen" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung, Wissenschaft, Forschung und Technologie. Es wird/wurde ausgeführt durch: Forschungszentrum Jülich GmbH, Institut für Schicht- und Ionentechnik.Das Vorhaben umfasst die konsequente Fortfuehrung der Arbeiten zur Entwicklung von Materialien und Schichtstrukturen sowie von Solarzellen auf der Basis des amorphen Siliziums. Hierbei liegt der Schwerpunkt auf der Entwicklung und Optimierung von amorphen Legierungen mit unterschiedlichen Bandluecken sowie auf der Verbesserung von Grenzflaecheneigenschaften fuer den Einsatz in Tandem- und Tripelzellen mit hoeheren stabilen Wirkungsgraden. Neu aufgenommene Entwicklungsziele beziehen sich auf das Verstaendnis und die Verbesserung von mikrokristallinem Silizium. Einmal fuer den direkten Einsatz in Duennschichtsolarzellen und zum anderen als Ausgangsmaterial fuer das Wachstum von duennen polykristallinen Siliziumschichten auf Fremdsubstraten mit der Option fuer eine polykristalline Si-Duennschichtzelle. Hierfuer dienen auch Arbeiten zu Heterouebergaengen zwischen amorphen bzw. mikrokristallinem Silizium und kristallinen Si-Wafern.

Amorphe Mischhalbleiter auf der Basis von Silizium fuer Tandemsolarzellen

Das Projekt "Amorphe Mischhalbleiter auf der Basis von Silizium fuer Tandemsolarzellen" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Forschung und Technologie. Es wird/wurde ausgeführt durch: Universität Stuttgart, Institut für Physikalische Elektronik.Die Abscheidung von amorphen Mischhalbleitern a-SiGe:H, a-SiSn:H und a-SiC:H(a-SiN:H) zur gezielten Einstellung des optischen Bandabstandes des Absorbermaterials erfolgt in Gleichstrom- und Hochfrequenzglimmentladungen. Die Parameter der Deposition, wie die Generation von Radikalen, deren Transport zum Substrat und die Abscheidung, werden mit optisch/spektroskopischen, massenspektrometrischen und elektrischen Verfahren analysiert. Die Korrelation der gezielt zu variierenden Depositionsparameter mit optischen, elektronischen und strukturellen Eigenschaften von undotierten und dotierten Schichten sowie von Barrierenstrukturen dient zur Charakterisierung der Mischhalbleiter und ihrer Optimierung fuer photovoltaische Anwendungen in Tandemsystemen.

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