Das Projekt "Teilvorhaben: Entwicklung eines Co-Diffusion-Prozesses aus APCVD abgeschiedenen Dotierschichten für Wafer aus multikristallinem Silizium" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Gebr. Schmid GmbH durchgeführt. Multikristalline Siliziumwafer werden einem Co-Diffusionsprozess, bei dem gleichzeitig Bor und Phosphor in den Wafer eingebracht werden, unterzogen. Dies stellt den Basisschritt für die Herstellung bifazialer Solarzellen dar. Ziel hierbei ist es, einen Dotierprozess zu entwickeln, der für multikristallines Wafermaterial unterschiedlicher Qualität geeignet ist. Hierbei steht vor allem die Auswirkung des Getterns auf vorhandene Defektstrukturen und Verunreinigungen im Vordergrund. Die Arbeiten im Projekt werden von den Projektpartnern SCHMID Group und der Universität Konstanz in Zusammenarbeit ausgeführt. Der Fokus der SCHMID Group liegt auf der Entwicklung eines ökonomischen Verfahrens für die beidseitige Dotierung. Die Universität Konstanz nutzt ihre Expertise im Bereich der Charakterisierung der Prozessergebnisse ein, um diese detailliert bewerten zu können.
Das Projekt "Teilvorhaben: Auswirkungen der Co-Diffusion aus mittels APCVD abgeschiedener Dotierschichten auf die Materialqualität von multikristallinem Silizium" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Universität Konstanz, Fachbereich für Physik durchgeführt. Im Rahmen des Projekts soll der Einfluss des Co-Diffusionsprozesses auf multikristalline Wafer unterschiedlicher Qualität untersucht werden. Hierbei soll insbesondere die Wirkung des Co-Getterns, bei dem sowohl hoch bor- als auch phosphordotierte Bereiche metallische Verunreinigungen binden, evaluiert werden. Co-Gettern kann bei höheren Temperaturen entscheidend zur Verbesserung der Ladungsträgerlebensdauer im multikristallinen Material beitragen. Ziel ist es, ein besseres Verständnis des Einflusses der Co-Diffusion auf die Materialqualität für die Entwicklung von geeigneten Prozesssequenzen für möglichst viele multikristalline Silizium-Materialien zu entwickeln. Ein weiteres Ziel des Projekts ist es, die für den Diffusionsprozess notwendige thermische Ofentechnik radikal zu vereinfachen. Basierend auf Dotierquellen, die mittels APCVD (Atmosphärendruck-Gasphasenepitaxie) aufgebracht wurden, sollen Wafer für den Diffusionsprozess einfach aufeinander gestapelt werden. Dies macht den Einsatz der gegenwärtig noch verwendeten, vergleichsweise komplexen Öfen und Automationsanlagen überflüssig und trägt zu einer wesentlichen Reduktion der Betriebs- und Investitionskosten bei.