Verbesserung des Wirkungsgrades der MIS-Inversionsschicht-Solarzelle, insbesondere der Parameter Leerlaufspannung und Fuellfaktor. Als neue Verfahrensschritte sind die Kurzzeitoxidation ueber 650 Grad Celsius zur Erzeugung eines verbesserten Tunneloxid am MIS-Kontakt, das Einlegieren des Aluminium-Rueckkontakts in Verbindung mit diesem RTO-Prozess und die Nutzung quantifiziert aufgebrachter statischer Oberflaechenladungen im Solarzellenaufbau bzw in der zugehoerigen elektrischen Messtechnik vorgesehen. Dazu gehoert auch die vertiefte Analyse ohmscher Verluste am Rueckkontakt.
Fuer die Herstellung von MIS-Inversionsschichtsolarzellen wurden neue Verfahrensschritte (Rapid-Thermal-Processing) eingesetzt. Insbesondere wurden folgende Arbeiten durchgefuehrt: - Herstellung eines qualitativ hochwertigen Tunnelisolators (Si-Oxid, Si-Oxynitrid) im Temperaturbereich 700 C bis 900 C durch RTP; - Untersuchungen zum Einlegieren des Al-Rueckseitenkontaktes und die Auswirkungen auf die Parameter von MIS-Solarzellen; - Optimierung von technologischen Prozessen zur Herstellung von MIS-Zellen. Mit dieser Technologie konnten MIS-Inversionsschichtsolarzellen hergestellt werden. Dabei wurde bei der Verwendung von texturiertem Cz-Si ein Wirkungsgrad von 16,2 Prozent erreicht (I(ind=sc)=35,3 mA/cm2, U(ind=oc)=600 mV, FF= 76,4 Prozent). Mit dem Einsatz von Si-Oxynitrid als Tunnelisolator wird die Temperaturstabilitaet des MIS-Tunnelkontakts (bis zu 350 C) wesentlich verbessert.