Das Projekt "Teilvorhaben: Untersuchung und Bewertung neuer Messstrategien für High-End Fotomasken Uniformitäten und Linienrauigkeiten sowie Materialschichten^Teilvorhaben: Tool-Basis & Industrie-Demonstrator^Teilvorhaben: Grundlagenentwicklung für ein lateral hochauflösendes spektroskopisches Ellipsometer^Neuartige hochauflösende Metrologie an High-End Fotomasken für energieeffiziente Nanoelektronik (CoolMaskMetro)^Teilvorhaben: Modelle und Simulationen für die Charakterisierung von high-End Fotomasken (CoolMaskMetroSim), Teilvorhaben: FT-konfokales Mikroellipsometer" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: Sentech Instruments GmbH.Die Fotomaske ist ein Schlüsselelement der Chipfertigung. Ihre Strukturen werden in einem fotolithografischen Prozess auf den Wafer übertragen. Auf Maskenebene sind die Linienrauigkeit (Eng. Line-Edge-Roughness = LER) und die Uniformity (Abstandstreue) der Linienstrukturen die zentralen Maskeneigenschaften, welche die Leckströme des Chips und damit dessen Stromverbrauch negativ beeinflussen. Um Masken mit reduzierter LER bereitstellen zu können, kommen den Bereichen Metrologie sowie dem Ätzen (Erzeugung der Strukturen) besondere Rollen zu. Mittels eines Ellipsometers kann die CDO = Critical-Dimension-Offtarget im Resist überwacht und so der Ätzprozess angepasst werden um die CDO/LER in der finalen Struktur zu reduzieren. Durch eine engere Tolerierung können die Schaltungen mit geringeren Spannungen betrieben und damit der Stromverbrauch gesenkt werden. Ziel des Teilprojekts von SENTECH ist die Entwicklung eines spektroskopischen Ellipsometers mit einer lateralen Auflösung von wenigen Mikrometern für die Generierung von Reflektometer- und Ellipsometerdaten in einem breiten Spektrum. Diese sollen für multiple Einstrahlwinkel und eine typische Messzeit von wenigen Sekunden gewonnen werden.
Das Projekt "Atomic Layer Deposition für die Oberflächenpassivierung von hocheffizienten Siliziumsolarzellen (ALD)" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Umwelt, Naturschutz und Reaktorsicherheit. Es wird/wurde ausgeführt durch: Institut für Solarenergieforschung GmbH.1. Vorhabenziel Ziel dieses Vorhabens ist es, das Potential von Aluminiumoxid-Schichten, die mit dem Atomic Layer Deposition (ALD)-Verfahren abgeschieden werden sollen, für die Oberflächenpassivierung von hocheffizienten kristallinen Siliziumsolarzellen zu evaluieren. 2. Arbeitsplanung Es soll eine ALD-Laboranlage angeschafft werden, die sowohl Abscheidungen mittels thermischer ALD als auch mit plasmaunterstützter ALD erlaubt. Die abgeschiedenen Schichten sollen bezüglich ihrer Passivierwirkung auf diffundierten und undiffundierten Siliziumoberflächen optimiert werden. Die optischen Eigenschaften der Schichten sowie das Schichtwachstum werden in-situ mit dem Ellipsometer charakterisiert. Die optimal passivierenden Schichten werden im nächsten Schritt detailliert auf ihre elektrischen, optischen und strukturellen Eigenschaften untersucht. Es werden außerdem Stapelschichten aus Aluminiumoxid und PECVD-Siliziumnitrid und Sliziumoxid untersucht. Die so erhaltenen Passivierschichtsysteme werden in hocheffiziente Solarzellen impementiert. 3. Ergebnisverwertung Im Erfolgsfall sollen die diesem Projekt entwickelten Passivierschichten in industrielle Hocheffizienzsolarzellen implementiert werden.