Das Projekt "Teilprojekt 4: Einfluss nichtdotierender Verunreinigungen auf die elektrische Aktivität von Kristalldefekten^Teilprojekt 6: Herstellung und Analyse von Solarzellen aus hochreinem kristallinem Silicium^Teilprojekt 8: Elektrische und optische Charakterisierung von Defekten und Verunreinigungen als Basis einer Abschätzung des maximalen Wirkungsgrades multikristalliner Solarzellen^SolarWinS: Solar- Forschungscluster zur Ermittlung des maximalen Wirkungsgradniveaus von multikristallinem Silicium^SolarWinS: Solar- Forschungscluster zur Ermittlung des maximalen Wirkungsgradniveaus von multikristallinem Silicium^Teilprojekt 3: Der Einfluß von Kristalldefekten und Zellstrukturen auf die Dunkel-Kennlinien^Teilprojekt 5: Evaluation von multikristallinem Silicium für Hocheffizienzsolarzellen mittels fortschrittlicher Charakterisierung, Simulation und Solarzellenprozessierung, Teilprojekt 2: Defektwechselwirkungen bei der Herstellung und Prozessierung von multikristallinem Silizium: Simulationen und Experimente" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Umwelt, Naturschutz, Bau und Reaktorsicherheit. Es wird/wurde ausgeführt durch: Universität Göttingen, Physikalisches Institut IV.
Das Projekt "GRIPS - Grundlagenentwicklung für industrienahe passivierte Siliciumsolarzellen" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Umwelt, Naturschutz und Reaktorsicherheit. Es wird/wurde ausgeführt durch: Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme.Das GRIPS-Projekt hat zum Ziel, die Grundlagen für die industrielle Fertigung oberflächenpassivierter Siliciumsolarzellen zu erarbeiten. Hierzu sollen am Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme (ISE) in Zusammenarbeit mit den führenden deutschen Solarzellenherstellern Einzelprozesse und Gesamtprozessfolgen erforscht und entwickelt werden. Ein Schwerpunkt bildet insbesondere die lokale Kontaktierung mittels Laserlegieren (Laser-Fired Contacts, LFC). Weitere Arbeitspunkte sind die Anwendung des Konzeptes auf multikristallines Siliciummaterial und seine Optimierung sowie der Einsatz einer Vorderseitenstruktur mit deutlich erhöhtem Wirkungsgradpotenzial.
Das Projekt "Teilvorhaben: Einfluss inhomogener Defektverteilungen auf die Solarzellenparameter^Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium - Praezipitation an Defekten^Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium - Nachweis, Verteilung und gezielte Umverteilung von Fremdatomen^Verbesserung des Materialverstaendnisses von multikristallinem Silicium fuer Solarzellen^Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium - ortsaufgeloeste Untersuchungen von Korngrenzen und Versetzungen^Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium in homogener Defektverteilung auf die Solarzellenparameter^Teilvorhaben: Rekombination an Versetzungen. Fortfuehrungstitel: Multikristalline Siliciummaterialien fuer effiziente Solarzellen: Handlungs..., Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium - elektrische, optische und strukturelle Charakterisierung" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: Universität Erlangen-Nürnberg, Institut für Angewandte Physik.
Das Projekt "Verbesserung des Materialverstaendnisses von multikristallinem Silicium fuer Solarzellen, Teilvorhaben: Einfluss inhomogener Defektverteilungen auf die Solarzellenparameter" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung, Wissenschaft, Forschung und Technologie. Es wird/wurde ausgeführt durch: Technische Universität Bergakademie Freiberg, Institut für Experimentelle Physik.Im Rahmen des Gemeinschaftsvorhabens 'Defekte in Multkristallinem Silizium' soll der Einfluss von Defekten in Silizium mehrerer Hersteller und verschiedener Solarzellen-Technologien auf die elektrischen Eigenschaften der Solarzellen untersucht werden. An diesem Vorhaben sind weitere 7 Forschungseinrichtungen beteiligt. Mehrere Industriepartner sind assoziiert. Das Institut fuer experimentelle Physik uebernimmt in diesem Vorhaben folgende Aufgaben: Experimentelle Untersuchungen der Versetzungsentstehung in multikristallinem Silizium und Vergleich mit numerischer Simulation der Spannungsverteilung, - Untersuchung des Verhaltens von Kohlenstoff- und Sauerstoffausscheidungen nach Temperung durch Tem, Widerstandsmessungen und DLTS, - Untersuchung der Wechselwirkung von 3d-Metallen mit Korngrenzen durch Tem sowie - Kennlinienmessungen an Solarzellen und numerische Simulation des Einflusses inhomogener Defektverteilung auf Solarzellenparameter.
Das Projekt "GESSICA, Teilvorhaben: Prozessoptimierung und Rohstoffsicherung zur Herstellung von multikristallinem Silizium für photovoltaische Anwendungen (PROSIX)" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: Bayer AG.Das Forschungsvorhaben wird in einem Verbundprojekt zusammen mit der Bayer Solar GmbH und dem Fraunhofer-Institut fuer Solare Energiesysteme (ISE) durchgefuehrt. Innerhalb des Vorhabens werden die bisherigen Entwicklungsarbeiten zur Prozessoptimierung bei der Herstellung multikristallinen Siliciums fortgesetzt. Ziel ist die Verbesserung der Siliciumqualitaet durch Einsatz hochreiner Kokillenbeschichtungen und wiederverwendbarer Keramikkokillen fuer grossformatige Siliciumbloecke unter Beruecksichtigung wirtschaftlicher Gesichtspunkte. Durch Aufbereitung und Einsatz von bisher nicht als Rohstoff fuer die Photovoltaik verwendeten Siliciumqualitaeten sollen multikristalline Eigenschaften untersucht werden. Ziel ist bei der sich abzeichnenden Rohstoffverknappung die Rohstoffbasis fuer die Photovoltaik zu erweitern.
Das Projekt "Teilvorhaben: Einfluss inhomogener Defektverteilungen auf die Solarzellenparameter^Verbesserung des Materialverstaendnisses von multikristallinem Silicium fuer Solarzellen^Teilvorhaben: Rekombination an Versetzungen. Fortfuehrungstitel: Multikristalline Siliciummaterialien fuer effiziente Solarzellen: Handlungs..., Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium in homogener Defektverteilung auf die Solarzellenparameter" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung, Wissenschaft, Forschung und Technologie. Es wird/wurde ausgeführt durch: Technische Universität Hamburg-Harburg, Forschungsschwerpunkt 02, Arbeitsbereich Halbleitertechnologie.
Das Projekt "Charakterisierung von Duennschicht-Solarzellen, Elektrische und optische Charakterisierung von kristallinen Silizium-Duennschicht-Solarzellen" wird/wurde gefördert durch: Angewandte Solarenergie - ASE GmbH / Bayerische Forschungsstiftung / Bayerisches Staatsministerium für Landesentwicklung und Umweltfragen / Siemens Solar GmbH. Es wird/wurde ausgeführt durch: Bayerisches Zentrum für Angewandte Energieforschung e.V..Vorcharakterisierung und Definition der Arbeitsschwerpunkte; Elektrische Eigenschaften einzelner Silizium-Koerner und der Korngrenzen; Passivierung von Bulk- und Korngrenzendefekten; Elektrische Charakterisierung fertig prozessierter Solarzellen; Optimierung der Passivierung von Rekombinationszentren.
Das Projekt "Teilvorhaben: Einfluss inhomogener Defektverteilungen auf die Solarzellenparameter^Verbesserung des Materialverstaendnisses von multikristallinem Silicium fuer Solarzellen, Teilvorhaben: Rekombination an Versetzungen. Fortfuehrungstitel: Multikristalline Siliciummaterialien fuer effiziente Solarzellen: Handlungs..." wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung, Wissenschaft, Forschung und Technologie. Es wird/wurde ausgeführt durch: Institut für Halbleiterphysik Frankfurt (Oder) GmbH (IHP).Bei den mittlerweile erreichten Korngroessen von multikristallinem Material fuer Solarzellen haben die Defekte innerhalb der Koerner eine entscheidende Bedeutung fuer den Zellenwirkungsgrad. Es gibt deutliche Anhaltspunkte dafuer, dass insbesondere die Intragrain-Versetzungen die Zelleneffizienz signifikant reduzieren. Eine vertiefte Klaerung der Rolle der Versetzungen ist deshalb von groesstem praktischen Interesse. Im hier vorgeschlagenen Teilprojekt sind detaillierte Untersuchungen der Rekombinationseigenschaften von Intragrain-Versetzungen unterschiedlichen Zustandes beabsichtigt. Aus Gruenden der praktischen Relevanz soll dabei eine Charakterisierung der Versetzungseigenschaften unter solchen Bedingungen erfolgen, die denen im Solarzellenbetrieb entsprechen. Mit den Fortfuehrungsarbeiten sollen die Grundlagen der Wasserstoffpassivierung von relevanten Defekten in mc-Silicium erforscht werden. Dazu sind auch Experimente zur thermischen Stabilitaet der Defektpassivierung und zur Abhaengigkeit des Passivierungsverhaltens von vorhergehenden thermischen Prozessen vorgesehen. Als Ergebnis der beabsichtigten Untersuchungen werden wichtige Aussagen ueber die Wirkung von Versetzugnen erwartet; dabei insbesondere Erkenntnisse darueber, wie durch eine gezielte Beeinflussung ihrer Eigenschaften eine signifikante Steigerung der Zelleneffizienz zu erreichen ist. Ausgehend von den Ergebnissen der Laborexperimente werden Vorschlaege fuer Passivierungsbehandlungen im Zellprozess erarbeitet.
Das Projekt "Teilvorhaben: Einfluss inhomogener Defektverteilungen auf die Solarzellenparameter^Verbesserung des Materialverstaendnisses von multikristallinem Silicium fuer Solarzellen^Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium in homogener Defektverteilung auf die Solarzellenparameter^Teilvorhaben: Rekombination an Versetzungen. Fortfuehrungstitel: Multikristalline Siliciummaterialien fuer effiziente Solarzellen: Handlungs..., Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium - ortsaufgeloeste Untersuchungen von Korngrenzen und Versetzungen" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung, Wissenschaft, Forschung und Technologie. Es wird/wurde ausgeführt durch: Universität Köln, II. Physikalisches Institut.
Das Projekt "Defekte in multikristallinem Silicium fuer Solarzellen: Defektverhalten in hochreinem, multikristallinem Silicium" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Forschung und Technologie. Es wird/wurde ausgeführt durch: Institut für Kristallzüchtung (IKZ) im Forschungsverbund Berlin e.V..Untersuchung der Wirkungsweise kristallographischer Defekte in gegossenem, multikristallinem Silicium fuer Solarzellen. Bestimmung der Defektdichte. Parametervergleich mit hochreinem mc-Silicium.
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