Das Projekt "P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET)^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch absorbierenden Verbindungshalbleitern^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET); Teil: Herstellung n- und p-leitender, sowie oberflächenmodifizierter TCOs und chemische, morphologische, elektrische und optische Analyse (PINET-TCO), P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: IBM Deutschland GmbH, Technology Center ISC EMEA.
Das Projekt "P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch absorbierenden Verbindungshalbleitern^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET)^P-I-N Solarzellen mit alternativen hochabsorbierenden Verbindungshalbleitern - PINET / Charakterisierung von Einzelschichten, Schichtsequenzen und kompletten Heterodioden mit hochauflösenden optischen und spektroskopischen Methoden^P-I-N Solarzellen, Herstellung von Bi2S3 Absorberschichten und Photoelektronenspektroskopische Analyse von P-I-N Solarzellen^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET); Teil: Herstellung n- und p-leitender, sowie oberflächenmodifizierter TCOs und chemische, morphologische, elektrische und optische Analyse (PINET-TCO), P-I-N Solarzellen mit alternativen hochabsorbierenden Verbindungshalbleitern : Material-, Grenzflächen- und Bauteiloptimierung" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: Technische Universität Darmstadt, Bereich Materialwissenschaft, Fachgebiet Oberflächenforschung.
Das Projekt "P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch absorbierenden Verbindungshalbleitern^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET)^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET); Teil: Herstellung n- und p-leitender, sowie oberflächenmodifizierter TCOs und chemische, morphologische, elektrische und optische Analyse (PINET-TCO), P-I-N Solarzellen mit alternativen hochabsorbierenden Verbindungshalbleitern - PINET / Charakterisierung von Einzelschichten, Schichtsequenzen und kompletten Heterodioden mit hochauflösenden optischen und spektroskopischen Methoden" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: Universität Oldenburg, Institut für Physik, Arbeitsgruppe GRECO Halbleiterphysik,Strahlungswandlung.
Das Projekt "P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch absorbierenden Verbindungshalbleitern, P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET)" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH.
Das Projekt "P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch absorbierenden Verbindungshalbleitern^P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET), P-I-N Solarzellen mit alternativen hoch-absorbierenden Verbindungshalbleitern (PINET); Teil: Herstellung n- und p-leitender, sowie oberflächenmodifizierter TCOs und chemische, morphologische, elektrische und optische Analyse (PINET-TCO)" wird/wurde gefördert durch: Bundesministerium für Bildung und Forschung. Es wird/wurde ausgeführt durch: Fraunhofer-Institut für Schicht- und Oberflächentechnik.